Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge₂Sb₂Te₅

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52113.9744

Гарибова С.Н.^1,2, Исаев А.И.¹, Мехтиева С.И.¹, Атаева С.У.¹, Алекперов Р.И.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

²Университет Хазар, Департамент физики и электроники, Az Баку, Азербайджан Khazar University, Baku, AzerbaijanKhazar University, Department of Physics and Electronics, Baku, Azerbaijan

Khazar University, Baku, AzerbaijanKhazar University, Department of Physics and Electronics, Baku, Azerbaijan

Email: sqaribova@rambler.ru

Поступила в редакцию: 15 сентября 2021 г.

В окончательной редакции: 23 октября 2021 г.

Принята к печати: 23 октября 2021 г.

Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами рентгеновской дифракции и рамановской спектроскопии исследованы особенности фазовых переходов "аморфное состояние-кристалл" в зависимости от способа получения образцов и термообработки, а также изменения структуры и ближнего порядка в расположении атомов халькогенидного полупроводника Ge₂₀Sb_20.5Te₅₁. Показано, что пленки Ge₂₀Sb_20.5Te₅₁, полученные термическим испарением на неподогреваемой подложке, являются аморфными, прошедшие термообработку при 220 и 400^oC переходят в кристаллическую фазу c кубической и гексагональной структурой. Определены химические cвязи и основные структурные элементы, образующие матрицу исследованных объектов, а также изменения, происходящие в них при термообработке. Kлючевые слова: халькогенидные полупроводники, локальная структура, фазовый переход, рамановская спектроскопия.

B.T. Kolomies, N.A. Qoryunova. Techn. Phys. Lett., 25 (6), 984 (1955) [in Russian]
M. Wuttig, N. Yamada. Nature Materials, 6, 824 (2007)
W. Welnic, M. Wuttig. Materials Today, 11 (6), 20 (2008)
D. Lencer, M. Salinga, M. Wuttig. Adv. Mater., 23, 2030 (2011)
S.N. Garibova, A.I. Isaev, S.I. Mekhtieva, S.U. Ataeva. Semiconductors, 53 (11), 1507 (2019)
S.U. Ataeva, S.I. Mekhtieva, A.I. Isaev, S.N. Garibova, A.S. Huseynova. Semiconductors, 53, 1637 (2019)
V. Bragaglia, B. Jenichen, A. Giussani, K. Perumal, H. Riechert, R. Calarco. Appl. Phys., 116, 054913 (2014)
X. Zemin, C. Chaonan, W. Zhewei, W. Ke, C. Haining, Y. Hui. RSC Advances, 8, 21040 (2018)
Zhang Ting, Liu Bo, Xia Ji-Lin, Song Zhi-Tang, Feng Song-Lin, Chen Bomy. Chin. Phys. Lett., 21 (4), 741 (2004)
A.L. Lacaita. Sol. St. Electron., 50, 24 (2006)
K. Shportko, l. Revutska, O. Paiuk, J. Baran, A. Stronski, A. Gubanova, E. Venger. Optical Mater., (Amst), 73, 489 (2015)
B. Liu, Z. Song, T. Zhang, S. Feng, B. Chen. Chinese Phys., 13, 1947 (2004)
E. Cho, S. Yoon, H.R. Yoon, W. Jo. J. Korean Phys. Soc., 48 (6), 1616 (2006)
V. Bragaglia, K. Holldack, J.E. Boschker, F. Arciprete, E. Zallo, T. Flissikowski, R. Calarco. Sci. Rept., 6, 28560 (2016)
G.G. Sosso, S. Caravati, R. Mazzarello, M. Bernasconi. Phys. Rev. B, 83, 134201 (2011)
S.A. Kozyukhin, V.H. Kudoyarova, H.P. Nguyen, A. Smirnov, V. Lebedev. Phys. Status Solidi C, 8 (9), 2688 (2011)
G. Bulai, O. Pompilian, S. Gurlui, P. Nemec, V. Nazabal, N. Cimpoesu, B. Chazallon, C. Focsa. Nanomaterials, 9, 676 (2019)
P. Nemec, V. Nazabal, A. Moreac, J. Gutwirth, L. Benes, M. Frumar. Mater. Chem. Phys., 136, 935 (2012)
J. Tominaga, N. Atoda. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L322 (1999)
S. Kozyukhin, M. Veres, H.P. Nguyen, A. Ingram, V. Kudoyarova. Phys. Procedia, 44, 82 (2013)
K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. J. Phys.: Condens. Matter, 18 (2006)
G. Lucovsky, D.A. Baker, M.A. Paesler, J.C. Phillips. J. Non-Cryst. Sol., 353, 1713 (2007)
S. Sugai. Phys. Rev. B, 35, 1345 (1987)
J. Koblar, B. Arlin, G. Shau. Phys. Rev. B, 60, R14985(R) (1999)
E. Yalon, S. Deshmukh, M. Munoz Rojo, F. Lian, C.M. Neumann, F. Xiong, E. Pop. Sci. Rept., 7, 15360 (2017)
K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. J. Phys. Condens. Matter, 18 (2006)
P. Nеmec, A. Moreac, V. Nazabal, M. Pavlivsta, J. Prikryl, M. Frumar. J. Appl. Phys., 106, 103509 (2009)
H.R. Yoo, W. Jo, E. Cho, S. Yoon, M. Kim. J. Non-Cryst. Sol., 352, 3757 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель