Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 3 » Статья стр. 315
<<<>>>
Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов
DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52117.9747
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.03.53063.9747
Иванов А.Ф.1,2, Егоров Ф.С.2, Платонов Н.Д.2, Матухин B.Л.2, Теруков Е.И.3,4
1ООО "Хевел", Новочебоксарск, Россия
2Казанский государственный энергетический университет, Казань, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: f.egorov@hevelsolar.com, ivanovaleksandrf@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 1 октября 2021 г.
Принята к печати: 1 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.
PDF версия
Проведено экспериментальное исследование оптоэлектронных свойств тонких пленок оксида индия и олова в зависимости от содержания кислорода в общем потоке газов при напылении данных пленок методом магнетронного распыления мишени на постоянном токе. Была исследована зависимость выходных параметров гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементов в зависимости от парциального давления кислорода в вакуумной камере при осаждении слоя оксида индия и олова. Максимальное значение эффективности фотоэлектрического преобразования солнечного элемента достигнуто при парциальном давлении кислорода в вакуумной камере ~6.5 Торр. Ключевые слова: гетеропереходный тонкопленочный солнечный элемент, оксид индия и олова, магнетронное распыление.
  1. B.G. Lewis, D.C. Paine. MRS Bull., 25 (8), 22 (2000)
  2. S.Q. Xiao, S. Xu, H.P. Zhou, D.Y. Wei, S.Y. Huang, L.X. Xu, C.C. Sern, Y.N. Guo, S. Khan. Appl. Phys. Lett., 100 (23), 233902 (2012)
  3. J. Haschke, O. Dupre, M. Boccard, C. Ballif. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 187, 140 (2018)
  4. Е.И. Теруков, А.С. Абрамов, Д.А. Андронников, К.В. Емцев, И.Е. Панайотти, А.С. Титов, Г.Г. Шелопин. ФТП, 52 (7), 792 (2018)
  5. K. Yoshikawa, H. Kawasaki, W. Yoshida, T. Irie, K. Konishi, K. Nakano, T. Uto, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto. Nature Energy, 2 (5), 17032 (2017)
  6. Z.C. Holman, M. Filipiv c, A. Descoeudres, S. De Wolf, F. Smole, M. Topiv c, C. Ballif. J. Appl. Phys., 113, 013107 (2013)
  7. L. Korte, E. Conrad, H. Angermann, R. Stangl, M. Schmidt. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 93 (6), 905 (2009)
  8. K. Ji, J. Choi, H. Yang, H. Lee, D. Kim. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95 (1), 203 (2011)
  9. Y.J. Kim, S.B. Jin, S.I. Kim, Y.S. Choi, I.S. Choi, J.G. Han. Thin Sol. Films, 518 (22), 6241 (2010)
  10. B. Zhang, X. Dong, X. Xu, P. Zhao, J. Wu. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 92 (10), 1224 (2008)
  11. A. Th gersen, M. Rein, E. Monakhov, J. Mayandi, S. Diplas. J. Appl. Phys., 109 (11), 113532 (2011)
  12. S. Li, X. Qiao, J. Chen. Mater. Chem. Phys., 98 (1), 144 (2006)
  13. M.-C. Chen, S.-A. Chen. Thin Sol. Films, 517 (8), 2708 (2009)
  14. C.G. Choi, K. No, W.-J. Lee, H.-G. Kim, S.O. Jung, W.J. Lee, W.S. Kim, S.J. Kim, C. Yoon. Thin Sol. Films, 258 (2), 274 (1995)
  15. H. Hosono. J. Non-Cryst. Solids, 352, 851 (2006)
  16. R. Martins, P. Almeida, P. Barquinha, L. Pereira, A. Pimentel, I. Ferreira, E. Fortunato. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1471 (2006)
  17. A.J. Leenheer, A.J. Leenheer, J.D. Perkins, M.F.A.M. van Hest, J.J. Berry, R.P. O'Hayre, D.S. Ginley. Phys. Rev. B, 7, 115215 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme