Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe

Косяченко Л.А.¹, Раренко И.М.¹, Захарчук З.И.¹, Склярчук В.М.¹, Склярчук Е.Ф.¹, Солончук И.В.¹, Кабанова И.С.¹, Маслянчук Е.Л.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы диодные структуры, полученные вакуумным напылением Al на поверхность монокристалла p-Cd_1-xZn_xTe (x=0.05). В рамках модели генерации-рекомбинации носителей Саа-Нойса-Шокли достигнуто количественное описание электрических характеристик диодов.

Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 36, 1146 (1966)
Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ФТП, 1, 805 (1967)
P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth., 150, 1 (1978)
Eiji Sakai. Nucl. Instrum. Meth., 196, 121 (1982)
K. Mochizuki, T. Yoshida, K. Igaki, T. Shoji, Y. Hiratate. Mater. Lett., 3, 219 (1985)
M.R. Squillante, G. Entine, E. Frederick, L. Cirignano, T. Hazlett. Nucl. Instrum. Meth., A283, 323 (1989)
G. Entine, P. Waer, T. Triernan, M.R. Squillante. Nucl. Instrum. Meth., A283, 282 (1989)
M. Richter, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth., A322, 529 (1992)
Y. Eisen. Nucl. Instrum. Meth., A322, 596 (1992)
J.F. Butler, C.L. Lingren, F.P. Doty. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 605 (1992)
R. Hess, P. DeAntonis, E.J. Morton, W.B. Gilboy. Nucl. Instrum. Meth., A353, 76 (1994)
Y. Eisen, A. Shor. J. Cryst. Growth, 184/185, 1302 (1998)
M.P. Lisitsa, B.N. Malynko, E.V. Pidlisnyi, G.G. Tsebulya. Surf. Sci., 11, 411 (1968)
М.П. Лисица, В.Н. Малинко, Е.В. Подлисный, Г.Г. Цебуля. УФЖ, 14, 1297 (1969)
А. Байдуллаева, А.И. Власенко, П.Е. Мозоль. ФТП, 31, 1428 (1997)
D.T.F. Marple. Phys. Rev., 150, 728 (1966)
R.O. Bell. Rev. Phys. Appl., 12, 391 (1977)
C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
Л.А. Косяченко, В.П. Махний, И.В. Потыкевич. УФЖ, 23, 279 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель