Вышедшие номера
Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe
Косяченко Л.А.1, Раренко И.М.1, Захарчук З.И.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1, Солончук И.В.1, Кабанова И.С.1, Маслянчук Е.Л.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследованы диодные структуры, полученные вакуумным напылением Al на поверхность монокристалла p-Cd1-xZnxTe (x=0.05). В рамках модели генерации-рекомбинации носителей Саа-Нойса-Шокли достигнуто количественное описание электрических характеристик диодов.