Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag
Грузинцев А.Н.1, Волков В.Т.1, Якимов Е.Е.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
Исследовано влияние на люминесценцию и фотопроводимость пленок оксида цинка легирования акцепторными примесями Cu и Ag с различной концентрацией 1, 3 и 5 ат%. Методом электронно-лучевого испарения при оптимальных режимах получены пленки с преобладанием люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что внедрение меди дает три типа точечных дефектов в ZnO: CuZn(3d10); CuZn(3d9) и Cui, а серебра - один тип: AgZn(3d10). Обнаружено выделение фазы оксида серебра при максимальной концентрации примеси. Внедрение примеси приводит к резкому возрастанию сопротивления и фоточувствительности пленок.
- T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999)
- M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Jap. J. Appl. Phys., 38, L1205 (1999).
- K. Minegishi, Y. Kowai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu. Jap. J. Appl. Phys., 36, L1453 (1997)
- А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев. ФТП, 36 (3), 205 (2002). [Semiconductors, 36 (3), 265 (2002)]
- X. Guo, H. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Jap. J. Appl. Phys., 40, L177 (2001)
- S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 205 (2001)
- А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, И.И. Ходос, Т.В. Никифорова, М.Н. Ковальчук. Микроэлектроника, 31, 202 (2002)
- А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Л.Н. Матвеева. Микроэлектроника, 31, 211 (2002)
- M. Aven, J.S. Prener. Physics and chemistry of II--VI compounds (North-Holland PC, Amsterdam, 1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
