Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизмы токопереноса в полупроводниковой структуре с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.04.53235.9782 
Министерство науки и высшего образования РФ , FSSN- 2020-0003
Мельник Н.Н.
1, Трегулов В.В.
2, Литвинов В.Г.
3, Ермачихин А.В.
3, Трусов Е.П.
3, Скопцова Г.Н.
2, Иванов А.И.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
3Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
3Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Email: al.erm@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 10 декабря 2021 г.
Принята к печати: 25 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 27 января 2022 г.
Показано, что при создании пленки пористого Si, сформированной металл-стимулированным травлением, на монокристаллической подложке Si p-типа образуется барьерный слой. Выпрямляющие свойства полупроводниковой структуры можно объяснить фиксацией уровня Ферми в приповерхностном слое пористого Si вследствие высокой концентрации электрически активных дефектов (глубоких центров или ловушек), что вызывает изгиб энергетических зон и возникновение потенциального барьера. Исследование комбинационного рассеяния света показало отсутствие размерных эффектов и изменения ширины запрещенной зоны в пленке пористого Si. В результате исследования температурной зависимости вольт-амперных характеристик и методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней определены энергии активации глубоких центров. Ключевые слова: пористый кремний, глубокий уровень, метод комбинационного рассеяния света, вольт-амперные характеристики, релаксационная спектроскопия глубоких уровней.
- T. Dzhafarov, A. Bayramov. In: Handbook of Porous Silicon, еd. by L. Canham (Springer International Publishing AG, part of Springer Nature, 2018) p. 1479
- X. Liu, P.R. Coxon, M. Peters, B. Hoex, J.M. Cole, D.J. Fray. Energy Environ. Sci., 7, 3223 (2014)
- M. Karanam, G.M. Rao, S. Habibuddin, R. Padmasuvarna. Int. Lett. Chem., Phys. Astron., 71, 40 (2016)
- K.W. Kolasinski. In: Porous Silicon: From Formation to Application. Formation and Properties, ed. by G. Korotcenkov (London--N.Y., Taylor and Francis Group, LLC, 2016) v. 1, p. 291
- Ю.А. Жарова, В.А. Толмачев, С.И. Павлов. ФТП, 53 (4), 576 (2019)
- H. Han, Z. Huang, W. Lee. Nano Today, 9 (3), 271 (2014)
- H.V. Bandarenka. In: Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham (Springer International Publishing AG, part of Springer Nature, 2018) p. 1315
- Y. Zhao, Z. Liu, C. Liang, M. Yu. Maximov, B. Liu, J. Wang, F. Yin. Int. J. Electrochem. Sci., 12, 8591 (2017)
- А.В. Ермачихин, В.Г. Литвинов. ПТЭ, 2, 118 (2018)
- M. Yang, D. Huang, P. Hao. J. Appl. Phys., 75 (1), 651 (1994)
- M. Ivanda. In: Handbook of Porous Silicon, ed. by L. Canham (Springer International Publishing AG, part of Springer Nature, 2018) p. 611
- G. Amato. In: Porous Silicon: From Formation to Application. Formation and Properties, ed. by G. Korotcenkov (London--N.Y., Taylor and Francis Group, LLC, 2016) v. 1, p. 156
- Qiu Li, Wei Qiu, Haoyun Tan, Jiangang Guo, Yilan Kang. Opt. Lasers Eng., 48 (11), 1119 (2010)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. pадио, 1979)
- А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко. ФТП, 40 (2), 180 (2006)
- В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987)
- V.G. Litvinov, N.V. Vishnyakov, V.V. Gudzev, N.B. Rybin, D.S. Kusakin, A.V. Ermachikhin, S.M. Karabanov, S.P. Vikhrov, A.S. Karabanov, E.V. Slivkin. MRS Advances, 1 (14), 911 (2016)
- Г.С. Дорджин, В.Н. Лактюшкин, М.В. Сорокина. Обзоры по электрон. техн., 7 (4), 72 (1989)
- К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
