Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термический перенос заряда и поляризация широкой полосы люминесценции с максимумом при энергии фотонов вблизи 1.2 эВ в n-GaAs : Te при одноосной деформации

Гуткин А.А.¹, Рещиков М.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 июля 2002 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрено влияние температуры на индуцированную давлением вдоль оси [111] поляризацию широкой полосы фотолюминесценции, связанной с комплексами V_GaTe_As в GaAs : Te. Показано, что в некотором интервале температур вводимое давлением различие энергий активации термической эмиссии дырок для комплексов разной ориентации приводит к резкому увеличению интегральной поляризации излучения, вызванного рекомбинацией свободных электронов с дырками, локализованными на комплексах, по сравнению с поляризацией этого излучения при более низкой температуре. Экспериметальные исследования при давлении 10 кбар обнаружили подобное поведение поляризации в диапазоне температур 140-190 K. Аппроксимация экспериментальных зависимостей расчетными кривыми показала применимость предложенной ранее модели совокупности дефектов, вызывающих рассматриваемую полосу люминесценции, а также позволила уточнить их некоторые параметры и оценить изменение энергии активации термической эмиссии дырок с центров разной ориентации под влиянием давления вдоль оси [111].

E.W. Williams, H.B. Bebb. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London, 1972) v. 8, p. 321
H.G. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34, 1201 (2000)
A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift Physikalishe Chemie, Bd 200, 217 (1997)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 33, 1323 (1999)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 58 (1991)
R.N. Bhargava, M.I. Nathan. Phys. Rev., 161, 695 (1967)
А.А. Гуткин, А.В. Ермакова. Оптика, оптоэлектроника и технологии. Тр. Межд. конф. (Ульяновск, 2002) (Изд-во УлГУ, 2002) с. 22

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель