Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии

Хируненко Л.И.¹, Кобзарь О.А.¹, Помозов Ю.В.¹, Соснин М.Г.¹, Трипачко Н.А.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 6 августа 2002 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

PDF версия

Проведено исследование влияния легирования оловом на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в кремнии. Показано, что Sn в кремнии является эффективным стоком для межузельного углерода, в результате чего в кремнии, легированном оловом, не наблюдается образования центров C_IO_I и C_IC_S, характерных для кремния, а возникают центры C_ISn_S. Центры C_IO_I и C_IC_S образуются в Si : Sn после отжига обнаруженных комплексов C_ISn_S. Установлено, что атомы C_I могут располагаться в двух различных положениях относительно атомов олова. Проведено рассмотрение процесса радиационного дефектообразования в Si : Sn в приближении квазихимических реакций. Получены выражения для зависимостей концентраций основных радиационных дефектов от содержания олова, проведено сопоставление с экспериментальными результатами.

G.D. Watkins. Radiation Demage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965) p. 97
G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12, 5824 (1975)
G.D. Watkins. Phys. Rev., 155, 802 (1967)
A. Brelot. IEEE Trans. Nucl. Sci., 19, 220 (1972)
G. Davies, A.S. Oates, R.C. Newman, R. Woolley, E.C. Lightowlerst, M.J. Binns, J.G. Wilkes. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 841 (1986)
E.V. Lavrov, M. Fanciulli. Physica B, 302-- 303, 263 (2001)
E.V. Lavrov, M. Fanciulli, M. Kaukonen, R. Jones, P.R. Briddon. Phys. Rev. B, 64, 125 212 (2001)
G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12, 4383 (1975)
A. Nylandsted Larsen, J.J. Goubet, P. Mejlholrn, J. Sherman Christensen, M. Fanciulli, J. Wulff Petersen, A. Resende, M. Kaukonen, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom, S. Dannefaer. Phys. Rev. B, 62, 4535 (2000)
A. Brelot, J. Charlemagne. Radiation Effects in Semiconductors, ed. by J.W. Corbett and G.D. Watkins (Gordon and Breach, London, 1971) p. 161
В.Б. Неймаш, М.Г. Соснин, Б.М. Туровский, В.И. Шаховцев, В.Л. Шиндич. ФТП, 16 (5), 901 (1982)
B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindstrom, G. Davies, J.M. Corbett. Appl. Phys. Lett., 51, 2257 (1987)
R.C. Newman, A.R. Bean. Rad. Eff., 8, 189 (1971)
J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51, 1103 (1987)
R.C. Newman, A.R. Bean. Rad. Eff., 8, 189 (1971)
M.T. Asom, J.L. Benton, R. Sauer, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 51, 256 (1987)
L.W. Song, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett., 60, 460 (1988)
L.C. Kimerling, M.T. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, 38-- 41, 141 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель