Предложен и экспериментально продемонстрирован новый спектрально-корреляционный метод исследования полупроводниковых структур, предполагающий использование планарно-неоднородных слоев. Посредством фотолюминесцентной спектроскопии при 77 K исследован образец, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащий Al_xGa_1-xAs-GaAs и GaAs-In_yGa_1-yAs квантовые ямы и модуляционно-легированный Al_xGa_1-xAs-GaAs гетеропереход. Полученные зависимости спектров фотолюминесценции от параметров неоднородности позволили характеризовать процессы перераспределения носителей в структуре и обнаружить ряд особенностей фотолюминесценции узких GaAs-квантовых ям. Экспериментальные значения энергии оптических переходов согласуются с теоретическими оценками во всем диапазоне вариации параметров, определяемом неоднородностью, и могут служить основой для оценки параметров полупроводниковой структуры. Исследование показало высокую информативность примененного подхода благодаря возможности прецизионной вариации технологически формируемых параметров структуры в пределах одного образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.