Впервые методом имплантации ионов Ва⁺ с энергией E₀=20-30 кэВ в приповерхностном слое Si(111) получены наноразмерные фазы и слои BaSi₂. В частности, показано, что при дозе D~ 10¹⁵ см^-2 формируются нанофазы с шириной запрещенной зоны E_g~0.85 эВ, а при D~10¹⁷ см^-2 нанослой BaSi₂ с E_g=0.67 эВ. Состав и структура наноструктуры дисилицида бария были исследованы спектроскопией поглощения света методами электронной оже-спектроскопии, а рентгеновская морфология поверхности изучалась методом растровой электронной микроскопии. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения наноразмерных фаз и слоев BaSi₂ в приповерхностной области Si. С использованием метода спектроскопии поглощения света оценены ширина запрещенных зон и степень покрытия слоя нанофазами BaSi₂. Показано, что при дозе D≥ 6·10¹⁶ см^-2 формируется нанослой BaSi₂. Ключевые слова: ионная имплантация, наноструктура, нанофаза, отжиг, дисилицид бария, оже-электроны, степень покрытия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.