Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 5 » Статья стр. 516
<<<
Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей
DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52356.9787
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.05.53433.9787
Аболмасов С.Н.1, Абрамов А.С.1,2, Вербицкий В.Н.1,2, Шелопин Г.Г.1, Кочергин А.В.1,3, Теруков Е.И.1,2,3
1НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: tem47@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 10 января 2022 г.
Принята к печати: 10 января 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.
PDF версия
Представлен сравнительный анализ различных методов формирования медной (Cu) контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей (SHJ ФЭП) в качестве альтернативы стандартному методу трафаретной печати с использованием дорогостоящих серебросодержащих (Ag) паст. Показано, что использование струйной печати для формирования защитных диэлектрических масок на основе органического полимера и тонких буферных металлических слоев для роста Cu-контактной сетки методом электрохимического осаждения позволяет формировать контактную сетку необходимой формы, обладающую достаточной адгезией к поверхности SHJ ФЭП. Используя данный метод, были изготовлены двусторонние SHJ ФЭП (размером 157x157 мм) с Cu-контактной сеткой, демонстрирующие кпд = 22.9% и уровень адгезии 3-5 Н/мм по сравнению с 22.6% и 1.5-2 Н/мм при использовании аналогичной контактной сетки на основе Ag-пасты. Ключевые слова: солнечная энергетика, монокристаллический кремний, гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь, медная контактная сетка, электрохимическое осаждение, трафаретная и струйная печать.
  1. R. Preu, E. Lohmuller, S. Lohmuller, P. Saint-Cast, J.M. Greulich. Appl. Phys. Rev., 7, 041315 (2020)
  2. A.S. Abramov, D.A. Andronikov, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov. In: High Efficient Low-Cost Photovoltaics, Recent Developments, 2nd еdn (Springer Nature, Switzerland, 2020) p. 113
  3. K. Yoshikawa, H. Kawasaki, W. Yoshida, T. Irie, K. Konishi, K. Nakano, T. Uto, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto. Nature Energy, 2, 17032 (2017)
  4. P.J. Verlinden. J. Renewable Sustainable Energy, 12, 053505 (2020)
  5. W. Wang. The mass production of HJT in Huasun, 4th Int. Workshop on Silicon Heterojunction Solar Cells (2021)
  6. J. Yu, J. Li, Y. Zhao, A. Lambertz, T. Chen, W. Duan, W. Liu, X. Yang, Y. Huang, K. Ding. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 224, 110993 (2021).
  7. S.K. Chunduri, M. Schmela. Heterojunction solar technology (TAIYANGNEWS Press release, 2020)
  8. D. Adachi, J.L. Hernandez, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 107, 233506 (2015)
  9. D. Adachi, T. Terashita, T. Uto, J.L. Hernandez, K. Yamamoto. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 163, 204 (2017)
  10. A. Dabirian, A. Lachowicz, J.W. Schuttauf, B. Paviet-Solomon, M. Morales-Masis, A. Hessler-Wyser, M. Despeisse, C. Ballif. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 159, 243 (2017)
  11. A. Lachowicz, G. Andreatta, N. Blondiaux, A. Faes, N. Badel, J.J.D. Leon, C. Allebe, C. Fontaine, P.-H. Haumesser, J. Jourdan, D. Munoz, M Godard, M. Darmon, S. Nicolay, M. Despeisse, C. Ballif. Proc. IEEE 48th Photovoltaic Specialists Conf. (2021) p. 1530
  12. T. Hatt, J. Bartsch, S. Schellinger, J. Schneider, A.A. Brand, S. Kluska, M. Glatthaar. Proc. 38th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (2021) p. 326
  13. Patent WO 2016/000030, https://www.pv-magazine.com/ 2021/09/10/austaralian-startup-sets-25-54-efficiency-record-for-silicon-cell
  14. J.B. Heng, J. Fu, B. Kong, Y. Chae, W. Wang, Z. Xie, A. Reddy, K. Lam, C. Beitel, C. Lioa, C. Erben, Z. Huang, Z. Xu. IEEE J. Photovoltaics, 5, 82 (2014)
  15. DuPontTM Riston special series data sheet \& processing information
  16. D. Stuwe, D. Mager, D. Biro, J.G. Korvink. Inkjet Technology for Crystalline Silicon Photovoltaics, 27, 599 (2015)
  17. T. Hatt, J. Bartsch, S. Kluska, S. Nold, S.W. Glunz, M. Glatthaar. Proc. IEEE 47th Photovoltaic Specialists Conf. (2020) p. 397
  18. A. Lachowicz, A. Descoeudres, J. Champliaud, A. Faes, J. Geissbuhler, M. Despeisse, S. Nicolay, C. Ballif. Proc. 36th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (2019) p. 564
  19. A. Lachowicz, P. Wayss, J. Geissbuhler, A. Faes, J. Champliaud, N. Badel, C. Ballif, M. Despeisse. Review on plating processes for silicon heterojunction cells, 8th Workshop on Metallization and Interconnection for Crystalline Silicon Solar Cells ( 2019)
  20. S. Abolmasov, A. Abramov, D. Andronikov, K. Emtsev, G. Ivanov, I. Nyapshaev, D. Orekhov, A. Semenov, G. Shelopin, E. Terukov, B. Strahm, G. Wahli, P. Papet, T. Soderstrom, Y. Yao, T. Hengst, G. Kekelidze. Proc. 31th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (2015) p. 1046
  21. A. Aguilar, S. Herasimenka, J. Karas, H. Jain, Jongwon Lee, K. Munoz, L. Michaelson, T. Tyson, W. Dauksher, S. Bowden. Proc. IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conf. (2016) p. 972.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme