Трансформация параметров фазового перехода полупроводник--металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия
Климов В.А.1, Тимофеева И.О.1, Ханин С.Д.1, Шадрин Е.Б.1, Ильинский А.В.2, Сильва-Андраде Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Автономный университет г. Пуэбла, Мексика
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности и емкости аморфных и поликристаллических пленок диоксида ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). С помощью атомно-силового микроскопа изучена морфология этих пленок. Установлено, что небольшое число (2-3) термоциклирований аморфной пленки приводит к исчезновению проявлений фазового перехода, что связывается с диффузией кислорода из кластеров, состоящих из VO2, в примыкающие к ним кластеры, состоящие из низших окислов ряда Магнели. Показано, что отжиг аморфной пленки диоксида ванадия в атмосфере кислорода приводит к доокислению низших окислов до VO2, поликристаллизации пленки и восстановлению проявлений ФППМ. По результатам этих исследований, а также по данным, полученным на атомно-силовом микроскопе, сделан вывод о высоком оптическом качестве поликристаллических пленок диоксида ванадия, полученных из аморфных пленок методом термокристаллизации, и установлена их пригодность для использования в окиснованадиевых интерферометрах и оптических ограничителях.
- А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение (Л., Наука, 1979) с. 183
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979) с. 342
- И.А. Хахаев, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 36 (6), 1643 (1994)
- Е.Б. Шадрин. Автореф. докт. дис. (СПб, 1997)
- W. Bruckner, H. Opperman, W. Reichelt, E.I. Terukov, F.A. Tschudnovskii, E. Wolf. Vanadiumdioxide (Akademie -Verlag, Berlin, 1983) p. 252
- В.Ю. Зеров, Ю.В. Куликов, В.Н. Леонов. Оптический журнал, 66 (5), 8 (1999)
- V.P. Belousov, I.M. Belousova, O.B. Danilov. SPIE Proc., 3263, 124 (1998)
- Г.Б. Стефанович. Автореф. докт. дис. (Петрозаводск, 1998)
- В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский, Ф. Сильва-Андраде. ЖТФ, 72 (9), 67 (2002)
- А.Л. Ройтбурд. УФН, 113, 69 (1974)
- A. Leone, A. Trione, F. Junga. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37, 1739 (1990)
- T. Horlin, T. Niklevsky, M. Nygren. M.-Mater. Res. Bull., 8, 179 (1973)
- P. Wuz, A. Miyashita, S. Yamamato. J. Appl. Phys., 86, 5311 (1999)
- Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. Диффузия и окисление полупроводников (М., Металлургия, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.