Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p⁺-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе

Муравский Б.С.¹, Куликов О.Н.¹, Черный В.Н.¹

¹Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия Kuban State University, Krasnodar, Russia

Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований физических процессов, вызывающих возникновение рекомбинационной неустойчивости тока в кремниевых эпитаксиальных p⁺-n-структурах с локальным контактом на n-области структуры, получаемым посредством введения примесных атомов, создающих в запрещенной зоне кремния глубокие энергетические уровни. На основе исследования неустойчивости тока определены параметры (плотность, энергетическое положение, сечение захвата электрона) глубоких центров, создаваемых в кремнии оловом, свинцом, кадмием и никелем.

А.А. Кокин. Микроэлектроника, 20, 424 (1991)
М.К. Бахадырханов, Х. Азимхужаев, Н.Ф. Зикриллаев, А.Б. Сабдуллаев, Э. Арзикулов. ФТП, 34, 177 (2000)
М.К. Бахадырханов, У.Х. Курбанова, Н.Ф. Зикриллаев. ФТП, 33, 25 (1999)
Б.С. Муравский, Г.П. Рубцов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов. Журнал радиоэлектроники, N 10 (2000). http: // jre.cplire.ru /win /oct00 /2 /text.html
Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.В. Абдул, Л.И. Рябова. ФТП, 31, 2 (1997)
Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1976)
Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, Г.И. Фризен, В.Н. Черный. ФТП, 6, 2114 (1972)
Б.С. Муравский, В.Н. Черный, И.Л. Яманов, А.Н. Потапов, М.А. Жужа. Микроэлектроника, 18 (4), 304 (1989)
B.S. Muravskiy, O.N. Kulikov. Proc. 1999 Int. Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia) p. 160
Л.Р. Григорьян, Б.С. Муравский, И.Л. Яманов. Тр. межд. форума по проблемам науки, техники и образования (М., 1997) с. 48
B.S. Muravskiy, L.R. Grigorian. Proc. 1997 Int. Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia) p. 233
В.Т. Долуденко, Б.С. Муравский. Поверхность. Физика, химия, механика, 18, 28 (1985)
Б.С. Муравский. ФТТ, 7, 334 (1965)
Б.С. Муравский. ФТП, 11, 1010 (1977)
А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель