Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 4 » Статья стр. 422
<<<>>>
Уровни вакансий и межузельных атомов в запрещенной зоне кремния
Лукьяница В.В.1
1Белорусский государственный медицинский университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 13 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
PDF версия
На основе анализа вторичных процессов радиационного дефектообразования в кристаллах кремния с зарядозависимыми селективными ловушками для вакансий и межузельных атомов проведена дифференциация их энергетических уровней, ранее определенных по влиянию условий облучения на скорость аннигиляции элементарных первичных дефектов. Установлено, что в запрещенной зоне кремния вакансиям с большой вероятностью принадлежат уровни ~ Ec-0.28 эВ и ~ Ec-0.65 эВ, а собственному межузельному атому - ~ Ec-0.44 эВ, ~ Ec - 0.86 эВ и, предположительно, ~ Ec-0.67 эВ.
  1. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
  2. Дж. Корбетт, Ж. Бургуэн. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 9
  3. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1980)
  4. В.В. Емцов, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  5. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  6. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
  7. З.В. Башелейшвили, Т.А. Пагава. ФТП, 33, 924 (1999)
  8. G.D. Watkins. In: Lattice Defects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1975) p. 1
  9. G.D. Watkins, J.R. Troxell, A.P. Chatterjee. In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1979) p. 16
  10. G.D. Watkins. In: Radiation damage in silicon (London, Mater. Sci. Forum, 1993) pt 2, p. 143
  11. L.C. Kimerling. In: Radiation Effects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1977) p. 221
  12. G.D. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Lett., 44, 593 (1980)
  13. G.A. Baraff, E.O. Kane, M. Schulter. Phys. Rev. B, 21, 5662 (1979)
  14. G.D. Watkins, A.P. Chatterjee, R. Harris. In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors (London, Inst. Phys., 1981) p. 199
  15. B.N. Mukachev, V.V. Frolov, L.G. Kolodin. Phys. Lett., 96A, 358 (1982)
  16. В.В. Емцев, М.А. Маргарян, Т.В. Машовец. ФТП, 18, 1516 (1984)
  17. P.S. Gwozdz, J.S. Kochler. Phys. Rev. B, 6, 4571 (1972)
  18. J.C. Bougoin, J.W. Corbett. Rad. Eff., 36, 157 (1978)
  19. Y. Bar-Yam, J.D. Joannopouls. Phys. Rev. B, 30, 1844 (1984)
  20. G.D. Watkins. In: Radiation Damage in Semiconductors (Paris, Dunod, 1965) p. 97
  21. G.D. Watkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett., 36, 1329 (1976)
  22. E.I. Blount. J. Appl. Phys., 30, 1218 (1959)
  23. A. Zeeger, W. Frank. In: Radiation and Defects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1973) p. 262
  24. Y.H. Lee, R.L. Kleinhenz, J.W. Corbett. In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1979) p. 521
  25. Y.H. Lee, N.N. Gerasimenko, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
  26. K.L. Brower. Phys. Rev. B, 14, 872 (1976)
  27. R.D. Harris, G.D. Watkins. In: Defects in Semiconductors (Coronado, 1985) p. 799
  28. A. Zeeger, H. Foll, W. Frank. In: Radiation Effetcs in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1977) p. 56
  29. В.В. Лукьяница. ФТП, 33, 921 (1999)
  30. I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Lukjanitsa, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 118, 65 (1990)
  31. P.F. Lugakov, V.V. Lukjanitsa. Phys. St. Sol. (a), 83, 521 (1984)
  32. В.В. Лукьяница. ФТП, 35, 513 (2001)
  33. L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 83, 147 (1986)
  34. И.И. Колковский, В.В. Лукьяница. ФТП, 31, 405 (1997)
  35. R.S. Newman. Infra-red Studies of Crystal Defects (London, Taylor and Frances, 1973)
  36. И.И. Колковский, Ф.Ф. Комаров, В.В. Лукьяница. Докл. АН РБ, 45 (3), 59 (2001)
  37. И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
  38. П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница, В.В. Шуша. ФТП, 20, 1894 (1986)
  39. J.A. Naber, C.E. Mallon, R.E. Leadon. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1973) p. 26
  40. K.P. Chic. Rad. Eff., 4, 33 (1970)
  41. W. Frank. In: Lattice Defects in Semiconductors (London-Bristol, Inst. Phys., 1975) p. 23
  42. W. Frank. Rad. Eff., 21, 119 (1974)
  43. Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев, М.Ф. Тамендаров. ФТП, 25, 684 (1991)
  44. В.А. Пантелеев, С.Н. Ершов, В.В. Черняховский, С.Н. Нагорных. Письма ЖЭТФ, 23, 688 (1976)
  45. В.В. Болотов, В.А. Стучинский. ФТП, 25, 2168 (1991)
  46. П.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич. ФТП, 23, 581 (1989)
  47. V.I. Gubskaya, P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Phys. St. Sol.(a), 85, 585 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme