Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1, Кумеков С.Е.2, Стеганцов С.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Алматинский технологический университет, Алматы, Республика Казахстан
Поступила в редакцию: 10 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Плотная горячая электронно-дырочная плазма и пикосекундная суперлюминесценция возникали при накачке слоя GaAs пикосекундным (ex) импульсом света. Распределение электронов по зоне проводимости было модулировано с периодом, равным энергии LO-фонона. Исследовалось влияние на суперлюминесценцию дополнительной накачки GaAs (pi) импульсом света с homegap<homegaex-0.1 эВ. При одновременной накачке ex- и pi-импульсами в спектре относительного увеличения энергии суперлюминесценции возникали локальные максимум или минимум при энергии фотона, при которой расположен максимум в спектре энергии суперлюминесценции в активной области слоя GaAs. Локальный максимум возникал, когда электроны, рожденные p1-импульсом на уровне с обедненной заселенностью, излучали по LO-фонону и рекомбинировали. Локальный минимум возникал, когда электрон рождался p2-импульсом на уровне с фермиевской заселенностью. Спектральная ширина локальных максимума и минимума оказалaсь уже, чем расчетная ширина энергетического уровня, с которого электроны рекомбинируют.
- D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Phys., 48, 267 (1987)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
- N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 537 (1998)
- Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 542 (1998)
- I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 94, 805 (1995)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцoв. ФТП, 36, 144 (2002)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 13 (1999)
- В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 350
- I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., 98, 903 (1996)
- С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
- В.М. Галицкий, В.Ф. Елесин. Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками (М., Энергоатомиздат, 1986) с. 192
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук