Вышедшие номера
Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми
Брудный В.Н.1, Гриняев С.Н.1, Колин Н.Г.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал ГНЦ РФ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Предложена теоретическая модель наиболее локализованного дефектного состояния кристалла, пригодная для расчета стационарного положения уровня Ферми в радиационно-модифицированных полупроводниках, оценки высоты барьера контакта металл/полупроводник и разрывов энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Показано, что такому состоянию соответствует наиболее глубокий уровень в области запрещенной зоны каждого полупроводника. Данный уровень выполняет роль, аналогичную уровню электронного химического потенциала, в объемном дефектном полупроводнике и на межфазной границе. Выполнены численные расчеты энергетического положения данного уровня в полупроводниковых группах IV и III-V.