Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака
Майдэбура Я.Е.
1, Малин Т.В.
1, Журавлев К.С.
1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: hnxyr5@gmail.com, mal-tv@mail.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.
Методом дифракции быстрых электронов на отражение выполнено экспериментальное исследование преобразования двумерного слоя GaN в трехмерные островки (2D-3D переход) при повышении температуры в потоке аммиака. Полученные результаты были объяснены в рамках разработанной ранее кинетической модели и модели равновесия Mariette. Показано, что с повышением температуры за счет процессов десорбции частиц NH2 поверхностная энергия увеличивается, 3D состояние поверхности становится энергетически выгодным, и происходит формирование 3D островков. При дальнейшем повышении температуры за счет процессов диссоциации частиц NH2 и NH поверхностная энергия уменьшается и 2D состояние поверхности снова становится энергетически выгодным, в результате чего 3D островки преобразовываются обратно в 2D слой. Ключевые слова: квантовые точки GaN, поверхностные процессы, ДБЭО, МЛЭ.
- O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
- S. N. Mohammad, H. Morko c. Progr. Quant. Electron., 20, 361 (1996)
- B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, J.L. Rouviere. Phys. Rev. B, 56, R7069 (1997)
- M. Miyamura, K. Tachibana, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 80, 3937 (2002)
- Y.E. Maidebura, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 120, 053101 (2022)
- B. Damilano, J. Brault, J. Massies. J. Appl. Phys., 118, 024304 (2015)
- Y.E. Maidebura, V.G. Mansurov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev. Appl. Surf. Sci., 577, 151802 (2022)
- W. Walkosz, P. Zapol, G.B. Stephenson. Phys. Rev. B, 85, 033308 (2012)
- C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Phys. Rev. Lett., 88, 066103 (2002)
- S. Krukowski, P. Kempisty, P. Str ak. Cryst. Res. Technol., 44, 1038 (2009)
- L.C. Grabow, J.J. Uhlrich, T.F. Kuech, M. Mavrikakis. Sur. Sci., 603, 387 (2009)
- Y.S. Won, J. Lee, C.S. Kim, S.S. Park. Surf. Sci., 603, L31 (2009)
- Y.E. Maidebura, V.G. Mansurov, T.V. Malin, D.S. Milakhin, K.S. Zhuravlev. In: IEEE 22nd Int. Conf. Young Professionals in Electron Devices and Materials, 83 (2021)
- T.V. Malin, V.G. Mansurov, A.M. Gilinskii, D.Y. Protasov, A.S. Kozhukhov, A.P. Vasilenko, K.S. Zhuravlev. Optoelectron. Instrum. Data Process., 49, 429 (2013)
- S. Tamariz, G. Callsen, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 114, 082101 (2019)
- H. Mariette. Comptes Rendus Physique, 6, 23 (2005)
- B.J. Skromme, H. Zhao, D. Wang, H.S. Kong, M.T. Leonard, G.E. Bulman, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 71, 829 (1997)
- J. Zhang, Y. Zhang, K. Tse, B. Deng, H. Xu, J. Zhu. J. Appl. Phys., 119, 205302 (2016)
- C. Roder, S. Einfeldt, S. Figge, D. Hommel. Phys. Rev. B, 72, 085218 (2005)
- S. Figge, H. Kroncke, D. Hommel, B.M. Epelbaum. Appl. Phys. Lett., 94, 101915 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
