Методом дифракции быстрых электронов на отражение выполнено экспериментальное исследование преобразования двумерного слоя GaN в трехмерные островки (2D-3D переход) при повышении температуры в потоке аммиака. Полученные результаты были объяснены в рамках разработанной ранее кинетической модели и модели равновесия Mariette. Показано, что с повышением температуры за счет процессов десорбции частиц NH₂ поверхностная энергия увеличивается, 3D состояние поверхности становится энергетически выгодным, и происходит формирование 3D островков. При дальнейшем повышении температуры за счет процессов диссоциации частиц NH₂ и NH поверхностная энергия уменьшается и 2D состояние поверхности снова становится энергетически выгодным, в результате чего 3D островки преобразовываются обратно в 2D слой. Ключевые слова: квантовые точки GaN, поверхностные процессы, ДБЭО, МЛЭ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.