Представлены результаты исследований роста слоев InGaN c высоким (50-80%) содержанием индия выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках с буферными слоями GaN/AlN. Показано, что процессы разложения и фазового распада растущего слоя InGaN, возникающие в структурах с долей индия порядка 50%, не могут быть подавлены за счет перехода к более низкотемпературному росту (470^oC->390^oC) без существенной деградации кристаллического качества формируемых структур и резкого снижения их излучательной способности. В качестве альтернативного подхода к подавлению диффузионных процессов на ростовой поверхности и, в итоге, получению однородных слоев InGaN с содержанием [In] ~50% опробован высокотемпературный (470^oС) рост в сильно азотобогащенных условиях (соотношение потоков III/V ~0.6). Выращенные таким образом слои InGaN демонстрируют интенсивную фотолюминесценцию, в то же время не показывая, согласно данным рентгеновской дифракции, признаков фазовой сепарации. Это критически важно для возможности реализации в подобных структурах оптического усиления и лазерной генерации в красной области спектра и непосредственно прилегающей к ней части ближнего инфракрасного диапазона. Ключевые слова: нитрид индия, нитрид галлия, молекулярно-пучковая эпитаксия, спинодальный распад, фотолюминесценция.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.