Вышедшие номера
Квантово-химическое моделирование влияния дефектов на инфракрасный спектр и электронную структуру a-Se
Зюбин А.С.1, Григорьев Ф.В.2, Дембовский C.А.2
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Проведено квантово-химическое моделирование влияния дефектов типа гипервалентных конфигураций и VAP-d на спектр инфракрасного поглощения и электронную структуру a-Se. Показано, что формирование VAP-d приводит к появлению дополнительного пика в высокочастотной области (337 cм-1), а гипервалентная конфигурация дает два дополнительных пика вблизи основной частоты валентных колебаний. Найдено, что формирование гипервалентных конфигураций вызывает существенные сдвиги верхних занятых и нижних вакантных молекулярных орбиталей, что должно приводить к появлению в запрещенной зоне локализованных состояний, которые могут играть роль как ловушек, так и доноров электронов. В рентгеновском эмиссионном спектре лишь один из рассмотренных дефектов приводит к появлению дополнительного пика, отстоящего от верхнего края полосы поглощения на 1.5 эВ, что делает возможным его обнаружение экспериментальным путем.