Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.08.54104.21 
РНФ, 22-22-00866
Министерство науки и высшего образования России , 0729-2020-0058
Коряжкина M.Н.
1, Филатов Д.О.1, Шенина М.Е.
1, Антонов И.Н.
1, Круглов А.В.
1, Ершов А.В.
1, Горшков А.П.
1, Денисов С.А.
1, Чалков В.Ю.
1, Шенгуров В.Г.
1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: mahavenok@mail.ru, cyrix@bk.ru, ivant@nifti.unn.ru, krualex@yandex.ru, gorshkovap@mail.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru, shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.
Исследовано влияние электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазонов на резистивное переключение МДП-структуры на основе пленок ZrO2(Y) на подложке n-Si(001) с самоорганизованными наноостровками Ge на ее поверхности. Наблюдалось увеличение логического коридора резистивных переключений при фотовозбуждении, связанное с влиянием фотоэдс на барьере Si/Ge/ZrO2(Y), в том числе при фотовозбуждении в области энергий квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si. В последнем случае эффект связан с пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в наноостровках Ge. Ключевые слова: мемристор, фотоиндуцированное резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, МДП-структура, наноостровки Ge/Si.
- S.H. Lee, X. Zhu, W.D. Lu. Nano Research, 13, 1228 (2020)
- J. Zhu, T. Zhang, Y. Yang, R. Huang. Appl. Phys. Rev., 7, 011312 (2020)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма в ЖТФ, 42, 78 (2016)
- С.В. Тихов, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, А.И. Белов, Д.О. Филатов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов. ЖТФ, 90, 1741 (2020)
- С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. Приборы и техника эксперимента, 5, 137 (2001)
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Д.О. Филатов, А.В. Круглов, М.В. Степихова, Д.Е. Спирин. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Сер. ФТТ, 2 (2), 28 (2013)
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. Изв. РАН. Сер. физ., 72, 267 (2008)
- B.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легирования металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
- M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, O. Nishikawa. Appl. Surf. Sci., 76-77, 322 (1994)
- А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
- N.V. Vostokov, I.V. Dolgov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, V.V. Postnikov, D.O. Filatov. J. Cryst. Growth, 209, 302 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
