Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al₂O₃(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53137.23

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.08.54455.23

Милахин Д.С.

^1,2, Малин Т.В.¹, Мансуров В.Г.

¹, Кожухов А.С.¹, Новикова Н.Н.³, Яковлев В.А.³, Журавлев К.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

³Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия Institute of Spectroscopy, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Email: dmilakhin@isp.nsc.ru, mansurov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние разной степени завершенности процесса нитридизации поверхности сапфира на морфологию буферного слоя AlN. Обнаружено, что ~85% завершенность образования кристаллической фазы AlN способствует росту двумерного буферного слоя AlN с гладкой морфологией поверхности вне зависимости от температуры подложки и потока аммиака, в отличие от формирования зародышевого слоя AlN в результате слабой или избыточной нитридизации сапфира, на котором образуется поликристаллическая либо трехмерная структуры AlN с высокой плотностью инверсионных доменов соответственно. Независимыми методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии поверхностных поляритонов была определена толщина зародышевого слоя AlN при ~85% степени завершенности процесса нитридизации, которая составила ~1 монослой. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия из аммиака, AlN, сапфир, дифракция быстрых электронов на отражение, нитридизация, инверсионные домены, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, поверхностные поляритоны.

I. Akasaki. Rev. Mod. Phys., 87 (4), 1119 (2015). DOI: 10.1103/RevModPhys.87.1119
H. Amano. Rev. Mod. Phys., 87 (4), 1133 (2015). DOI: 10.1103/RevModPhys.87.1133
S. Nakamura. Rev. Mod. Phys., 87 (4), 1139 (2015). DOI: 10.1103/RevModPhys.87.1139
Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441 (7091), 325 (2006). DOI: 10.1038/nature04760
R.A. Ferreyra, C. Zhu, A. Teke, H. Morkoc. Group III Nitrides, ed. by S. Kasap, P. Capper (Springer International Publishing AG, 2017), Pt D (31), 743 (2017). DOI: 10.1007/978-3-319-48933-9
C.L. Freeman, C. Frederik, L.A. Neil, H.H. John. Phys. Rev. Lett., 96 (6), 066102 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.066102
H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Bekaroglu, E. Akturk, R.T. Senger, S. Ciraci. Phys. Rev. B, 80 (15), 155453 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.155453
А.Л. Ивановский. Успехи химии, 81 (7), 571 (2012). [A.L. Ivanovskii. Russ. Chem. Rev., 81 (7), 571 (2012)]. DOI: 10.1070/RC2012v081n07ABEH004302
C.J.F. Solano, A. Costales, E. Francisco, A. Marti n Pendas, M.A. Blanco, K.-C. Lau, H. He, R. Pandey. Comput. Model. Eng. Sci., 24 (2), 143 (2008)
M. Houssa, G. Pourtois, V.V. Afanas'ev, A. Stesmans. Appl. Phys. Lett., 97 (11), 112106 (2010). DOI: 10.1063/1.3489937
V. Mansurov, T. Malin, Yu. Galitsyn, K. Zhuravlev. J. Cryst. Growth, 428, 93 (2015). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.07.030
V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, T.V. Malin, S.A. Teys, K.S. Zhuravlev, I. Cora, B. Pecz. 2D Materials, ed. by Ch. Wongchoosuk and Y. Seekaew (IntechOpen, 2018). DOI: 10.5772/intechopen.81775
H. Kawakami, K. Sakurai, K. Tsubouchi, N. Mikoshiba. Jpn. J. Appl. Phys., 27 (2), L161 (1988). DOI: 10.1143/jjap.27.l161
J.L. Rouviere, M. Arlery, R. Niebuhr, K.H. Bachem, O. Briot. Mater. Sci. Eng. B, 43 (1-3), 161 (1997). DOI: 10.1016/s0921-5107(96)01855-7
S. Mohn, N. Stolyarchuk, T. Markurt, R. Kirste, M.P. Hoffmann, R. Collazo, A. Courville, R.D. Felice, Z. Sitar, P. Vennegu\`es, M. Albrecht. Phys. Rev. Appl., 5 (5), 054004 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.5.054004
N. Stolyarchuk, T. Markurt, A. Courville, K. March, O. Tottereau, P. Vennegu\`es, M. Albrecht. J. Appl. Phys., 122 (15), 155303 (2017). DOI: 10.1063/1.5008480
K. Uchida, A. Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi, T. Tanaka, S. Minagawa. J. Appl. Phys., 79 (7), 3487 (1996). DOI: 10.1063/1.361398
N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux. Appl. Phys. Lett., 69 (14), 2071 (1996). DOI: 10.1063/1.116883
C. Heinlein, J. Grepstad. Appl. Phys. Lett., 71 (3), 341 (1997). DOI: 10.1063/1.119532
F. Dwikusuma, T.F. Kuech. J. Appl. Phys., 94 (9), 5656 (2003). DOI: 10.1063/1.1618357
D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev. J. Therm. Anal. Calorim., 133 (11), 1099 (2018). DOI: 10.1007/s10973-018-7116-z
K. Masu, Y. Nakamura, T. Yamazaki, T. Shibata, M. Takahashi, K. Tsubouchi. Jpn. J. Appl. Phys., 34 (6B), L760 (1995). DOI: 10.1143/JJAP.34.L760
Y. Cho, Y. Kim, E. R. Weber, S. Ruvimov, Z.L. Weber. J. Appl. Phys., 85, 7909 (1999). DOI: 10.1063/1.370606
V.M. Agranovich, D.L. Mills (eds). Surface Polaritons (North-Holland Publ. Co., Amsterdam, 1982)
G.N. Zhizhin, M.A. Moskaleva, E.A. Vinogradov, V.A. Yakovlev. Appl. Spectrosc. Rev., 18, 171 (1982)
T.V. Malin, V.G. Mansurov, A.M. Gilinskii, D.Yu. Protasov, A.S. Kozhukhov, A.P. Vasilenko, K.S. Zhuravlev. Optoelectron. Instrument. Proc., 49, 429 (2013). DOI: 10.3103/S8756699013050026
D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, A.S. Kozhukhov, D.E. Utkin, K.S. Zhuravlev. Appl. Surf. Sci., 541, 148548 (2021). DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148548
W. Theib. The SCOUT through CAOS, Manual of the Windows application SCOUT
W. Theib. Surf. Sci. Rep., 29, 91 (1997)
D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev. Phys. Status Solidi B, 256, 1800516 (2019). DOI: 10.1002/pssb.201800516

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель