Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53142.28

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.08.54111.28

Russian Science Foundation (RSF) , 20-79-1009

Коляда Д.В.¹, Фирсов Д.Д.¹, Тимофеев В.А.², Машанов В.И.², Караборчев А.А.¹, Комков О.С.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: kolyada.dima94@mail.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования фотолюминесценции наногетероструктур с множественными квантовыми ямами Ge_1-x-ySi_xSn_y/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках и отожженных при различных температурах. Обнаружено, что вследствие отжига структур достигается многократное увеличение интенсивности пика излучения, близкого по энергии к оптическим переходам в множественных квантовых ямах. Определены оптимальные температура и продолжительность отжига с точки зрения интенсивности фотолюминесценции. Исследованы люминесцентные свойства серии отожженных структур Ge_0.93-xSi_xSn_0.07/Si с разным составом по Ge. В результате показан сдвиг пика низкотемпературной фотолюминесценции в сторону меньших энергий с увеличением доли германия в твердом растворе. Таким образом, продемонстрирована возможность управления спектром излучения наногетероструктур Ge_0.93-xSi_xSn_0.07/Si в диапазоне длин волн 1.3-2.0 мкм. Ключевые слова: наногетероструктуры, фотолюминесценция, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасные излучатели.

R. Soref. Nature Photonics, 4, 495 (2010)
C. Xu, L. Jiang, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 103, 072111 (2013)
K.L. Low, Y. Yang, G. Han, W. Fan, Y-C. Yeo. J. Appl. Phys., 112, 103715 (2012)
S. Gupta, B. Magyari-Kope, Y. Nishi, K.C. Saraswat. J. Appl. Phys., 113, 073707 (2013)
M. Oehme M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, D. Widmann, E. Kasper, J. Schulze. Appl. Phys. Lett., 101, 141110 (2012)
Y. Zhou, W. Dou, W. Du, T. Pham, S.A. Ghetmiri, S. Al-Kabi, A. Mosleh, M. Alher, J. Margetis, J. Tolle, G. Sun, R. Soref, B. Li, M. Mortazavi, H. Naseem, S.-Q. Yu. J. Appl. Phys., 120, 023102 (2016)
S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
Y. Zhou, Y. Miao, S. Ojo, H. Tran, G. Abernathy, J.M. Grant, S. Amoah, G. Salamo, W. Du, J. Liu, J. Margetis, J. Tolle, Y.-H. Zhang, G. Sun, R.A. Soref, B. Li, S.-Q. Yu. Optica, 7, 924 (2020)
P.R. Pukite, A. Harwit, S.S. Iyer. Appl. Phys. Lett., 54, 2142 (1989)
I. Fischer, T. Wendav, L. Auge, S. Jitpakdeebodin, F. Oliveira, A. Benedetti, S. Stefanov, S. Chiussi, G. Capellini, K. Busch, J. Schulze. Opt. Express, 23, 25048 (2015)
J.D. Gallagher, C. Xu, C.L. Senaratne, T. Aoki, P.M. Wallace, J. Kouvetakis, J. Menendez. J. Appl. Phys., 118, 135701 (2015)
G. Sun, R.A. Soref, H.H. Cheng. Opt. Express, 18, 19957 (2010)
G. Sun, R.A. Soref, H.H. Cheng. J. Appl. Phys., 108, 033107 (2010)
V. Timofeev, A. Nikiforov, A. Tuktamyshev, V. Mashanov, M. Yesin, A. Bloshkin. Nanoscale Res. Lett., 13, 65 (2018)
V.A. Timofeev, V.I. Mashanov, A.I. Nikiforov, I.D. Loshkarev, I.V. Skvortsov, D.V. Gulyaev, I.V. Korolkov, D.V. Kolyada, D.D. Firsov, O.S. Komkov. Rus. Phys. J., 64, 1505 (2021)
V.A. Timofeev, V.I. Mashanov, A.I. Nikiforov, I.V. Skvortsov, A.E. Gayduk, A.A. Bloshkin, I.D. Loshkarev, V.V. Kirienko, D.V. Kolyada, D.D. Firsov, O.S. Komkov. Appl. Surf. Sci., 593, 153421 (2022)
V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.R. Tuktamyshev, V.I. Mashanov, I.D. Loshkarev, A.A. Bloshkin, A.K. Gutakovskii. Nanotechnology, 29, 154002 (2018)
D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 285108 (2016)
L. Scheffler, M.J. Haastrup, S. Roesgaard, J.L. Hansen, A. Nylandsted Larsen, B. Julsgaard. Nanotechnology, 29, 055702 (2018)
N. von den Driesch, S. Wirths, R. Troitsch, G. Mussler, U. Breuer, O. Moutanabbir, D. Grutzmacher, D. Buca. Phys. Rev. Matter., 4, 033604 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель