Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53145.31

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.08.54114.31

Министерство образования и науки России , АААА-А20-120102190007-5

Дворецкий С.А.

^1,2, Ступак М.Ф.

³, Михайлов Н.Н.

^1,4, Макаров С.Н.

³, Елесин А.Г.³, Верхогляд А.Г.

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

³Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия Technological Design Institute of Scientific Instrument Engineering at the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (TDI SIE SB RAS), Novosibirsk, Russia

Technological Design Institute of Scientific Instrument Engineering at the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (TDI SIE SB RAS), Novosibirsk, Russia

⁴Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: dvor@isp.nsc.ru, stupak@tdisie.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, makarov@tdisie.nsc.ru, verhoglyad@tdisie.nsc.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

PDF версия

Проведено исследование кристаллического совершенства слоев HgCdTe-гетероструктур, выращенных на подложках (013)GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe, поворота ориентации в плоскости (угол φ) и перпендикулярном направлении роста (угол theta) методом генерации второй гармоники. Наблюдалось изменение угла φ для слоев CdTe от ориентации подложки GaAs и его немонотонное изменение по толщине в слое КРТ постоянного состава и широкозонных варизонных слоях на его границах. Наблюдалось увеличение угла theta при выращивании верхнего варизонного широкозонного слоя КРТ. Абсолютное значение угла theta может быть использовано для качественной оценки кристаллического совершенства слоев HgCdTe. Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, кристаллическое совершенство, гетероструктуры Cd_xHg_1-xTe.

W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. APR, 2, 041303 (2015)
В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Автометрия, 56 (5), 12 (2020)
S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.G. Remesnik, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, D.G. Ikusov, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, J.V. Gumenjuk-Sichevska, A.G. Golenkov, I.O. Lysiuk, Z.F. Tsybrii, A.V. Shevchik-Sheker, F.F. Sizov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Opto-Electron. Rev., 27 (3), 282 (2019)
M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Opt. Express, 26, 12755 (2018)
S. Ruffenach, A. Kadykov,V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5 (3), 35503 (2017).
L.A. Almeida, M. Groenert, J. Markunas, J.H. Dinan. J. Electron. Mater., 35 (6), 1214 (2006)
R.J. Koestner, H.F.J. Schaake. Vac. Sci. Technol. A, 6, 2834 (1988)
V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
A. Million, L.Di. Cioccio, J.P. Gailliard, J. Piaguet. J. Vacuum Sci. \& Technol. A, 6, 2813 (1988)
T.T. Lam, C.D. Moore, R.L. Forrest, M.S. Goorsky, S.M. Johnson, D.B. Leonard, T.A. Strand, T.J. De Lyon, M.D. Gorwitz. J. Electron. Mater., 29 (6), 804 (2000)
B. Shojaei, R. Cottier, D. Lee, E. Piquette, M. Carmody, M. Zandian, A. Yulius. J. Electron. Mater., 48 (10), 6118 (2019)
T. Skauli, T. Colin, R. Sl lie, S. L vold. J. Electron. Mater., 29 (6), 687 (2000)
F. Riesz. J. Appl. Phys., 79, 4111 (1996)
C.C. Fulk, T. Parodos, P. Lamarre, S. Tobin, P. LoVecchio, J. Markunas. J. Electron. Mater., 38 (8), 1690 (2009)
N. Nagai. J. Appl. Phys., 45, 3789 (1974)
P. Auvray, M. Baudet, A. Regreny. J. Cryst. Growth, 95, 288 (1989)
Y. Takagi, Yu. Furukawa, A. Wakahara, H. Kan. J. Appl. Phys., 107, 063506 (2010)
А.В. Колесников, А.С. Ильин, Е.М. Труханов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин. Изв. РАН. Сер. физ., 75, 652 (2011)
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков. Изв. РАН. Сер. физ., 77, 264 (2013)
А.В. Колесников, Е.М. Труханов, А.С. Ильин, И.Д. Лошкарев. Поверхность, 7, 30 (2014)
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, М.Ю. Есин, М.О. Петрушков. Письма ЖТФ, 43 (4), 64 (2017)
Е.А. Емельянов, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, М.А. Путято, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский. ФТП, 53, 512 (2019)
E. Ligeon, C. Chami, R. Danielou, G. Feuillet, J. Fontenelie, K. Seminadayar, A. Ponchet. J. Appl. Phys., 67, 2428 (1990)
W.F. Znhao, R.N. Jakobs, M. Jaime-Vasquez, L.O. Bubulak, D.J. Smith. J. Electron. Mater., 40 (8), 1733 (2011)
Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев. ФТТ, 57 (11), 2095 (2015)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев. Автометрия, 55 (5), 31 (2019)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев, Д.Г. Икусов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ФТТ, 62 (2), 214 (2020)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ЖТФ, 91 (11), 1799 (2021)
С.А. Дворецкий, М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. Автометрия, 57 (5), 18 (2021)
С.А. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.В. Семиногов. УФН, 147 (12), 675 (1985)
T.F. Heinz. Second-Order Nonlinear Optical Effects at Surfaces and Interfaces. In: Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena, еds by H. Ponath, G. Stegeman (North Holland Pub., Amsterdam, 1991)
T. Kimura, Ch. Yamada. J. Cryst. Growth, 150, 92 (1995)
К.А. Брехов, К.А. Гришунин, Д.В. Афанасьев, С.В. Семин, Н.Э. Шерстюк, Е.Д. Мишина, А.В. Кимель. ФТТ, 60 (1), 33 (2018)
В.В. Баланюк, В.Ф. Краснов, С.Л. Мушер, В.И. Проц, В.Э. Рябченко, С.А. Стоянов, С.Г. Струц, М.Ф. Ступак, В.С. Сыскин. Квант. электрон., 22 (2), 196 (1995)
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, А.А. Ковалев, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Н.Н. Рубцова, Б.Р. Семягин. Вестн. Новосиб. гос. ун-та. Сер. Физика, 9 (4), 5 (2014)
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, К.С. Журавлев, А.А. Ковалев, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских, Т.В. Малин, Н.Н. Рубцова. Сибирский физ. журн., 13 (2), 64 (2018)
С.Б. Бодров, А.И. Корытин, Ю.А. Сергеев, А.Н. Степанов. Квант. электрон., 50 (5), 496 (2020)
И.Д. Бурлаков, А.В. Демин, Г.Г. Левин, Н.А. Пискунов, С.В. Заботнов, А.С. Кашуба. Измерит. техн., N 6, 15 (2010)
Е.В. Пермикина, А.С. Кашуба. Успехи прикл. физики, 4 (5), 493 (2016)
Н.А. Кульчицкий. Прикл. физика, N 1, 44 (2021)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
Handbook of Optical Constants of Solids, ed. by E.D. Palik (Elsevier Science, USA, 1998)
Sadao Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors (Springer Science+Business Media, N.Y., 1999)
E.D. Mishina, T.V. Misuryaev, N.E. Sherstyuk, V.V. Lemanov, A.L. Morozov, A.S. Sigov. Rasing Th. Phys. Rev. Lett., 85 (17), 3664 (2000)
Е.Д. Мишина, А.И. Морозов, А.С. Сигов, Н.Е. Шерстюк, О.А. Акципетров, В.В. Леманов, Th. Rasing. ЖЭТФ, 121 (3), 644 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель