Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs : Mn

Лагунова Т.С.¹, Воронина Т.И.¹, Михайлова М.П.¹, Моисеев К.Д.¹, Самохин Е.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы транспортные свойства гетероструктур p-Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y/p-InAs : Mn с нелегированными слоями твердых растворов, близких по составу к GaSb (x=<sssim 0.22) при концентрации марганца в подложке (5-7)· 10¹⁸ см^-3, полученных методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что на гетерогранице со стороны арсенида индия существует электронный канал. Обнаружены аномальный эффект Холла и отрицательное магнитосопротивление при высоких температурах (77-200 K). Эти эффекты могут быть объяснены обменным s-d-взаимодействием ионов марганца в подложке с s-электронами в двумерном канале. Оценен эффективный магнитный момент ионов марганца mu=200 mu_B при T=77 K.

Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 215 (1998)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 194 (2000)
Д.Г. Андрианов, В.В. Каратаев, Г.В. Лазарева, Ю.Б. Муравлев, А.С. Савельев. ФТП, 11, 1252 (1977)
Ф.П. Кесаманлы, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Николаева, М.Н. Пивоваров. ФТП, 2, 56 (1968)
Д.Г. Андрианов, Г.В. Лазарева, А.С. Савельев, В.И. Фистуль. ФТП, 10, 568 (1976)
Д.Г. Андрианов, А.С. Савельев. ФТП, 14, 539 (1980)
Э.М. Омельяновский, В.И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках (М., Металлургия, 1983)
С.В. Вонсовский. Современное учение о магнетизме (М., 1953)
Э.И. Заварицкая, И.Д. Воронова, Н.В. Рождественская. ФТП, 6, 1945 (1972)
H. Ohno. Phys. Rev. Lett., 68, 2664 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель