В приближении малости отклонений осей излучающих оптических диполей комплексов V_GaTe_As в GaAs от одного из направлений типа < 111> проанализирована форма спектра широкой бесструктурной полосы фотолюминесценции этих дефектов при давлении 10 кбар вдоль оси [111]. Для выявления расщепившихся компонент этой полосы, принадлежащих центрам разной ориентации, развита методика, использующая закономерности пьезоспектроскопического поведения анизотропных центров и применение измерений спектров в случаях, когда электрический вектор световой волны параллелен и перпендикулярен оси давления. Подтверждена модель, принятая при анализе, и определено, что расщепление энергий центров разной ориентации при давлении 10 кбар примерно равно 38 мэВ, а относительная доля ротатора, описывающая в классическом дипольном приближении поляризационные свойства света, излучаемого отдельным комплексом, составляет 0.15. Это свидетельствует о сравнимости роли спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий в формировании излучающего состояния комплекса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.