Вышедшие номера
Редкоземельные элементы в технологии соединений AIIIB V и приборов на их основе
Гореленок А.Т.1, Каманин А.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Обобщены результаты наших исследований по использованию редкоземельных элементов в жидкофазной эпитаксиальной технологии InP, InGaAsP, InGaAs, GaP и по созданию на их основе различных опто- и микроэлектронных приборов и структур, а также результаты по поверхностному геттерированию GaAs пленками редкоземельных элементов для получения высокоомного материала различного назначения.