Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.
Приведены вольт-амперные характеристики, а также спектральные и ватт-амперные характеристики излучения диодов, изготовленных из двойных гетероструктур InAsSbP/InGaAsSb на подложке InAs, при прямом и обратном смещении в диапазоне температур 25-90oC. Показано, что отрицательная люминесценция, возникающая вследствие экстракции носителей из областей вблизи от p-n-перехода при температурах ~ 90oC, имеет больший коэффициент преобразования, чем электролюминесценция. Показано сужение спектров отрицательной люминесценции в диодах со встроенными резонаторами.
- В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. Докл. АН СССР, 161 (6), 1308 (1965)
- С.С. Болгов, В.К. Малютенко, А.П. Савченко. ФТП, 31 (5), 526 (1997)
- T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. J. Cryst. Growth, 159, 1100 (1996)
- T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. Infr. Phys. \& Technology, 36, 1037 (1995)
- M.J.P. Pullin, X. Li, J.D. Heber, D. Gevaux, C.C. Phillips. SPIE Proc., 3938-22, 144 (2000)
- L.J. Olafsen, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, J.R. Waterman, W. Mason. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2681 (1999)
- G.R. Nash, N.T. Gordon, T. Ashley, M.T. Emeny, T.M. Burke. IEE Proc. Optoelectron. (2003) in print
- V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
- B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 149 (1), 33 (2002)
- M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3427 (1999)
- E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995)
- M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin, W.W. Bewley, J.R. Lindle, J.R. Meyer. Appl. Phys. Lett., 81 (7), 1166 (2002)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 99 (2000)
- A. Krier, V.V. Sherstnev, H.H. Gao, J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 1656 (2000)
- B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Optics, 49 (5/6), 743 (2002)
- Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 3 (5), 1370 (1969)
- A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. \& Technology, 38, 397 (1997)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (5), 619 (2001)
- W.W. Bewley, M.J. Jurkovic, C.L. Felix, J.R. Lindle, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, E.H. Aifer, J.E. Butler, S.P. Tobin, P.W. Norton, M.A. Hutchins. Appl. Phys. Lett., 78\^(20), 3082 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
