Вышедшие номера
Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на n+-Si(001)-подложках
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54124.36
Титова А.М.1, Денисов С.А.1, Чалков В.Ю.1, Алябина Н.А.1, Здоровейщев А.В.1, Шенгуров В.Г.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: asya_titova95@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2022 г.
Принята к печати: 25 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Методом химического осаждения из газовой фазы, активированной "горячей нитью", выращены гетероэпитаксиальные слои Ge или Ge1-xSnx на высоколегированных донорной примесью (As или Sb) подложках Si(001). Для сравнения такие же слои были выращены на высокоомных подложках Si(001). В тех и других слоях вольт-емкостным методом были измерены профили распределения концентрации носителей заряда по глубине слоев, а в последних слоях дополнительно методом эффекта Холла были измерены подвижности носителей заряда. Установлено, что слои, выращенные на высокоомных подложках, были p-типа проводимости, а слои, выращенные в тех же режимах на высоколегированных подложках, были n-типа с концентрацией электронов в слоях Ge n=(4-9)·1016 см-3, а в слоях GeSn n=(2-4)·1017-3. Экспериментально и теоретически установлено, что эффект автолегирования слоев Ge и GeSn в методе химического осаждения из газовой фазы, активированной "горячей нитью", отсутствует. По нашему мнению, формирование слоев Ge и GeSn n-типа проводимости при выращивании их на высоколегированных донорной примесью (As или Sb) подложках n+-Si(001) связано с сегрегацией этой примеси при росте буфферного слоя Si и с последующим встраиванием ее в растущие слои Ge или GeSn. Ключевые слова: эпитаксия, легирование, Ge, Si, Sn, концентрация.