Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединния GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54125.37 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: tarasova@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 7 июля 2022 г.
Принята к печати: 7 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см2/В·с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка. Ключевые слова: AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, нелинейные искажения, спейсерные слои.
- Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, С.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов. ФТП, 54 (9), 968 (2020)
- С.В. Хазанова, О.Л. Голиков, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков. ФТП, 55 (10), 872 (2021)
- И.С. Василевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
- B. Razavi. RF Microelectronics (Hamilton Printing Company in Castleton, N.Y., 2012)
- С.В Хазанова, В.Е. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49 (1), 53 (2015)
- Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, Г.В. Медведев. ФТП, 50 (12), 1599 (2016)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Вопр. атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, N 1, 54 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
