Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Зотова Н.В.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Пушный Б.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.
Светодиоды (длина волны lambda=3.3-4.5 мкм) изготовлены на основе гетероструктур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Применение метода газофазной эпитаксии позволило существенно увеличить содержание фосфора в барьерных слоях (до 50%) по сравнению с традиционным методом жидкофазной эпитаксии и, следовательно, улучшить ограничение носителей заряда в активной области структур. Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев InAsSb, электролюминесцентные свойства светодиодов, зависимости мощности излучения от тока. Изготовлены светодиоды двух типов: с выводом излучения через подложку (тип A) и с выводом излучения через эпитаксиальный слой (тип B). При комнатной температуре светодиоды в импульсном режиме (скважность 20) имели мощность излучения 1.2 мВт.
- Z. Feit, D. Kostyk, R.J. Woods, P. Mak. Appl. Phys. Lett., 58, 343 (1991)
- E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995)
- H.K. Choi, S.J. Eglash, W.G. Turner. Appl. Phys. Lett., 64, 2474 (1994)
- T.C. Hasenberg, R.H. Miles, A.R. Kost, L. West. IEEE J. Quant. Electron., 33, 1403 (1997)
- H. Lee, L.J. Olafsen, R.J. Menna, W.W. Bewley, R.U. Martinelly, I. Vurgaftman, D.Z. Garbuzov, C.L. Felix, M. Maiorov, J.R. Meyer, J.C. Connolly, A.R. Sugg, G.H. Olsen. Electron. Lett., 35, 1743 (1999)
- B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus, G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 149, 33 (2002)
- A.A. Popov, V.V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, A.N. Baranov, C. Alibert. Electron. Lett., 33, 86 (1997)
- B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus, V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 254 (1998)
- V.V. Sherstnev, A.M. Monahov, A. Krier, G. Hill. Appl. Phys. Lett., 77, 3908 (2000)
- M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76, 943 (2000)
- A. Stein, D. Puttjer, A. Behres, K. Heime. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 257 (1998)
- R.M. Biefeld, A.A. Allerman, S.R. Kurtz, K.C. Baucom. J. Cryst. Growth, 195, 356 (1998)
- M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Philips, W.T. Yuen, P. Moeck. Appl. Phys. Lett., 74, 2384 (1999)
- О.А. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)
- S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Y.P. Yakovlev. IEE Proc. Optoelectron., 149, 33 (2002)
- N.P. Esina, N.V. Zotova. ФТП, 14, 316 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
