Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 8 » Статья стр. 974
<<<>>>
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки
Андреев И.А.1, Ильинская Н.Д.1, Куницына Е.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.
PDF версия
В данной работе сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с диаметрами фоточувствительной площадки такими большими, как 1-3 мм. Разработан широкий ряд фотодиодов на основе гетероструктур GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb с длинноволновой границей спектральной чувствительности lambda=2.4 и 2.55 мкм. Отличительными особенностями фотодиодов являются высокая токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра, высокое быстродействие, а также низкое значение плотности обратных темновых токов. Обнаружительная способность фотодиодов, оцененная по измеренной величине уровня шумов и токовой монохроматической чувствительности, в максимуме спектра достигает величины D*(lambdamax,1000,1)=(0.8-1.0)·1011 Гц1/2 см/Вт.
  1. A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Proc. Conf. Applications Tunable Diode Lasers. Proc. SPIE, 1724, 2 (1992)
  2. R.J. Becherer. Proc Conf. Laser Focus World, May 1993, p. 71
  3. R. Martini, C. Bethear, F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, E.A. Whittaker, H.Y. Hwang, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho, H.C. Liu. Abstracts Book 5th Int. Conf. MID-IR Optoelectronic Materials and Devices (MIOMD-V), Sept. 8-11, 2002 (Annapolis, Maryland, USA) p. 04--05
  4. T.L. Troy, S.N. Thennadil. J. Biomedical Optics, 6 (2), 167 (2001)
  5. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, B.I. Zhurtanov, T.I. Voronina, O.V. Andreychuk, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 142, 257 (1999)
  6. А.Н. Баранов, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Джуртанов, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (20), 1839 (1988)
  7. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов и др. Письма ЖТФ, 15 (7), 20 (1989). [Sov. Techn. Phys. Lett., 15 (7), 15 (1989)]
  8. И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.В. Возницкий, Б.А. Ермаков, М.П. Михайлова, Т.Н. Сиренко, Ю.П. Яковлев. Опт.-мех. пром-сть, N 7, 19 (1991)
  9. А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 64, 2331 (1990)
  10. F. Karota, H. Mani, J. Bhan, Fen Jia Hua, A. Joullie. Rev. Phys. Appl., 22 (11), 1459 (1987)
  11. J.L. Moll. In: Physics of Semiconductors (N. Y., McGraw Hill, 1964)
  12. A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt. Microelectronics J., 26, 705 (1995)
  13. E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, N.A. Charykov, Yu.V. Solov'ev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 1--4, 371 (1999)
  14. E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, M.P. Mikhailova, Ya.A. Parkhomenko, Yu.P. Yakovlev. Proc. Int. Conf. Photoelectronics and Night Vision Devices. Proc. SPIE, 4340, 244 (2000)
  15. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31 (6), 653 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme