Вышедшие номера
Синхротронные исследования энергетического спектра электронов в наноструктурах на основе AIIIBV
Домашевская Э.П.1, Терехов В.А.1, Кашкаров В.М.1, Турищев С.Ю.1, Молодцов С.Л.2, Вялых Д.В.3, Винокуров Д.А.4, Улин В.П.4, Конников С.Г.4, Шишков М.В.4, Арсентьев И.Н.4, Тарасов И.С.4, Алфёров Ж.И.4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Institut fur Oberflachen- und Mikrostrukturphysik, TU Dresden, Germay
3Institut fur Experimentalphysik, Freie Universitat Berlin, Berlin, Germany
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области P-L2,3-краев зонного спектра, отражающие локальную плотность состояний в зоне проводимости в следующих объектах: наноструктурах с квантовыми точками InP, выращенных на подложках GaAs<100> методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и в пористых слоях InP, полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP< 100>. Во всех наноструктурах обнаружены квантово-размерные эффекты в виде появления дополнительного уровня на расстоянии 3.3 эВ от дна зоны проводимости, а также изменение ширины запрещенной зоны исследуемых материалов при размерном квантовании электронного спектра. Высказаны предположения о зона-зонном происхождении спектров люминесценции в исследованных наноструктурах.