Вышедшие номера
Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных на основе одиночного разъединенного гетероперехода II типа
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Исследованы электролюминесцентные характеристики одиночной гетероструктуры II типа p-Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78/ n-In0.83Ga0.17As0.80Sb0.20 в интервале температур 77-300 K. Предложена и реализована новая улучшенная лазерная структура на основе разъединенного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/n-InGaAsSb в активной области и получена одномодовая генерация на длине волны lambda=3.14 мкм при плотности порогового тока jth=400 А/см2 (T=77 K). Обнаружено преобладание TM-поляризации над TE-поляризацией излучения как для спонтанного, так и для когерентного режима работы новой лазерной структуры, что может быть объяснено участием в рекомбинации легких дырок, туннелирующих через гетерограницу.