Предложен принципиально новый способ определения дрейфовой подвижности полупроводников, основанный на измерении времени достижения максимального (пикового) значения диффузионно-дрейфового тока неравновесных носителей, возбуждаемых короткими импульсами света из области сильного поглощения через один из контактов. При условии превышения дрейфового потока над диффузионным, как показал вычислительный эксперимент, подвижность mu вычисляется по формуле mu=d²(2Ut_max)^-1, где d - расстояние между контактами, U - приложенное напряжение, t_max - время достижения пикового значения фототока. Условие выполняется при напряжениях выше значений, соответствующих наибольшей скорости спада зависимости t_max(U).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.