Вышедшие номера
Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм
Новиков И.И.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Гордеев Н.Ю.1, Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Михрин С.С.1, Малеев Н.А.1, Васильев А.П.1, Устинов В.М.1, Алфёров Ж.И.1, Леденцов Н.Н.1,2, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 27 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до 88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали 2, 5 и 10 слоев квантовых точек InAs-GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.