Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 27 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до 88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали 2, 5 и 10 слоев квантовых точек InAs-GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.
- D. Bimgerg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
- N.N. Ledentsov. IEEE Select. Top. Quant. Electron., 8 (5), 1015 (2002)
- O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, Q. Mo, D.G. Deppe. IEEE Phot. Technol. Lett., 12 (9), 1120 (2000)
- G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36 (11), 1272 (2000)
- O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38 (14), 712 (2002)
- С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лавшиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36, 1400 (2002).
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shemyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernaykov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 671 (2000)
- А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 483 (1997)
- O. Shchekin, G. Park, D. Huffaker, D. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2002)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
- M. Sugawara, K. Mukai, Y. Nakata, H. Ishikawa, A. Sakamoto. Phys. Rev. B, 61, 7595 (2000)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 36 (10), 1151 (2000)
- M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyankov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Aflerov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
