Вышедшие номера
Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
Минобрнауки России, "Приоритет 2030", СП/ПОПР-1
Афанасьев А.В.1, Забродский В.В.2, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Николаев А.В.2, Серков А.В.1, Трушлякова В.В.1, Чигирев Д.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a_afanasjev@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 3 августа 2022 г.
Принята к печати: 12 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.

Исследована возможность повышения чувствительности 4H-SiC p+-n-n+-фотодиодов путем варьирования толщины p+-приемной области методом реактивного ионно-плазменного травления. Показано, что утонение верхнего эпислоя мезаэпитаксиального фотодиода этим методом с использованием в качестве маски металла контактов позволяет управлять как максимальной чувствительностью, так и спектральной зависимостью чувствительности фотодиодов. При этом не наблюдается заметного ухудшения темновых электрических характеристик. Ключевые слова: 4H-SiC, p+-n-n+-фотодиод, УФ-диапазон, p+-слой, РИПТ, чувствительность.