Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53961.9963

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.10.54907.9963

Российский научный фонд, 22-72-10002

Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Программа фундаментальных исследований

Министерство науки и высшего образования РФ , 0791-2020-0002

Надточий А.М.

^1,2, Мельниченко И.А. ¹, Иванов К.А.¹, Минтаиров С.А.³, Калюжный Н.А.

³, Максимов М.В.

², Крыжановская Н.В.

¹, Жуков А.Е.

¹Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия HSE University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru, imelnichenko@hse.ru, Nickk@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 20 сентября 2022 г.

В окончательной редакции: 26 сентября 2022 г.

Принята к печати: 26 сентября 2022 г.

Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами спектроскопии фотолюминесценции в непрерывном режиме и с разрешением по времени исследована гетероструктура с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs в диапазоне температур 10-300 K. Полученное время спада ФЛ разделено на излучательную и безызлучательную составляющие времени жизни носителей заряда. Обнаружено, что излучательное время жизни демонстрирует экспоненциальный рост с увеличением температуры, в то время как температурная зависимость безызлучательного времени жизни намного слабее. Ключевые слова: полупроводники, квантовые яма-точки, фотолюминесценция, временное разрешение, время жизни, температурная зависимость.

Z. Alferov. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 6 (6), 832 (2000)
O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38 (14), 712 (2002)
P. Senellart, G. Solomon, A. White. Nature Nanotechnol., 12 (11), (2017)
M. Gurioli, A. Vinattieri, M. Colocci, C. Deparis, J. Massies, G. Neu, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 44 (7), 3115 (1991)
D. Y. Oberli, F. Vouilloz, E. Kapon. Phys. Status Solidi A, 164 (1), 353 (1997)
O. Nasr, N. Chauvin, M. H. H. Alouane, H. Maaref, C. Bru-Chevallier, L. Sfaxi, B. Ilahi. J. Opt., 19 (2), 025401 (2017)
A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, D.A. Sannikov, T.F. Yagafarov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 53 (11), 1489 (2019)
M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Y. Gordeev, Y.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Appl. Sci., 10 (3), 1038 (2020)
N.Y. Gordeev, M.V. Maximov, A.S. Payusov, A.A. Serin, Y.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 36 (1), 015008 (2021)
E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B Condens. Matter Mater. Phys., 67 (24), 1 (2003)
G.W.'t Hooft, M.R. Leys, H.J. Talen-v.d. Mheen. Superlat. Microstr., 1 (4), 307 (1985). DOI: 10.1016/0749-6036(85)90092-8
J. Feldmann, G. Peter, E. O. Gobel, P. Dawson, K. Moore, C. Foxon, R. J. Elliott. Phys. Rev. Lett., 59 (20), 2337 (1987)
G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, H. Nickel. Phys. Rev. B, 47 (15), 9545 (1993)
B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 41 (17), 12190 (1990)
D.Y. Oberli, M.-A. Dupertuis, F. Reinhardt, E. Kapon. Phys. Rev. B, 59 (4), 2910 (1999)
S. Yamauchi, A. Shikanai, I. Morohashi, S. Furue, K. Komori, T. Sugaya, T. Takagahara. J. Appl. Phys., 102 (9), 094303 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель