Методом магнетронного распыления получены пленки оксида цинка, легированные алюминием (ZnO : Al). На основании исследования их электрических свойств показано, что концентрация электронов в них достигает 5·10²⁰ см^-3 и в диапазоне температур 77-300 K практически постоянна, что указывает на высокую эффективность легирования ZnO примесью Al. Установлено, что осаждение тонких пленок (d~1 мкм) на поверхность (111) p-Si приводит к получению гетероструктур с максимальной фоточувствительностью ~400 В/Вт при T=300 K, которая осциллирует в спектральном диапазоне 1.3-3.5 эВ. При наклонном падении линейно поляризованного излучения в таких гетероструктурах возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в диапазоне 5-40% (theta~75^o), что связано с интерференционными явлениями в пленках ZnO. Сделано заключение о возможностях применения полученных гетероструктур в качестве узкоселективных фотосенсоров естественного и линейно-поляризованного излучений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.