Термоэдс полупроводникового p-n-гетероперехода
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1
1Институт физики им. Х.И. Амирxанова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Получены и исследованы "длинные" p-n-гетеропереходы Ge-GaAs. Измерена термоэдс гетероперехода в зависимости от разности температур на торцах от 10 до 180 K, при постоянной средней температуре, равной 300 K. Найдено, что при большом градиенте температуры эксперимент согласуется с теорией, учитывающей появление неосновных носителей за счет тепловой эмиссии.
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
- Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
- Н.С. Лидоренко, И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Коломoец. Докл. АН СССР, 272, 855 (1983)
- И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. ФТП, 29, 1796 (1995)
- И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992)
- R.H. Rediker, S. Stopek, J.H.R. Ward. Sol. St. Electron., 7, 621 (1964)
- R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
- М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук