Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения

Володин В.А.¹, Гацкевич Е.И.¹, Двуреченский А.В.¹, Ефремов М.Д.¹, Ивлев Г.Д.¹, Никифоров А.И.¹, Орехов Д.А.², Якимов А.И.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 января 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось воздействие импульсов излучения рубинового лазера на нанокластеры Ge, сформированные на подложке Si (100). Плотность энергии облучения соответствовала порогу плавления поверхности Si. Изменение структуры нанокластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света в сопоставлении с расчетами на основе моделей Борна-фон-Кармана и Волькенштейна. Установлено, что воздействие одного импульса изменяет структуру нанокластеров. Наблюдается изменение их размеров и частичная релаксация напряжений сжатия. Еще более существенные изменения происходят при воздействии 10 импульсов. Нанокластеры Ge трансформируются в кластеры твердого раствора Ge_xSi_1-x, предположительно за счет диффузионных процессов, стимулированных механическими напряжениями и вакансионными дефектами. Проведено численное моделирование динамики теплового воздействия лазерного излучения на нанокластеры германия в кремнии.

А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, А.В. Ненашев. ЖЭТФ, 119, 574 (2001)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина. Письма ЖЭТФ, 74, 296 (2001)
A.V. Kolobov, A.A. Shklyaev, H. Oyanagy, P. Fons, S. Yamasaki, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 78, 2563 (2001)
В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, О.П. Пчеляков, В.В. Ульянов. ФТП, 37 (10), 1220 (2003)
Light Scattering in Solids. V. Superlattices and Other Microstructures, ed. by M. Cardona, G. Gunterodt (Berlin, Springer Verlag, 1989)
G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich, D.N. Sharaev. Proc. SPIE, 4157, 78 (2001)
A.V. Kolobov. J. Appl. Phys., 87, 2926 (2000)
М. Волькенштейн. ДАН СССР, 32, 185 (1941)
J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 8098 (1994)
M.I. Alonso, K. Winer. Phys. Rev. B, 39, 10 056 (1989)
G. Nelin, G. Nilsson. Phys. Rev. B, 5, 3151 (1972)
М.Д. Ефремов, В.А. Володин, В.А. Сачков, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Болотов, Е.А. Галактионов, А.В. Кретинин. Письма ЖЭТФ, 70, 73 (1999)
В.А. Сачков, В.В. Болотов, В.А. Володин, М.Д. Ефремов. Препринт ИМСЭ СО РАН 2000-01 (Новосибирск, 2000)
J.L. Liu, J. Wan, Z.M. Jiang, A. Khitun, K.L. Wang, D.P. Yu. J. Appl. Phys., 92, 6804 (2002)
C.П. Жвавый. ЖТФ, 70, 58 (2000)
K. Dettmer, W. Freiman, M. Levy, Yu.L. Khait, R. Beserman. Appl. Phys. Lett., 66, 2376 (1995)
В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов. Материалы совещaния "Кремний-2002" (Новосибирск, 2002), с. 43
Z. Zhang, J.C. Li, Q. Jiang. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 2653 (2000)
A.N. Goldstein. Appl. Phys. A, 62, 33 (1996)
В.А. Швец, С.И. Чикичев, А.С. Мардежов и др. Материалы совещaния "Кремний-2002" (Новосибирск, 2002), с. 186
N.E.B. Cowern, P.C. Zalm, van der Slius, D.J. Gravesteijn, W.B. de Boer. Phys. Rev. Lett., 72, 2585 (1994)
Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
T. Ueno, T. Irisawa, Y. Shiraki, A. Uedono, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira, T. Mikado. J. Cryst. Growth, 227--228, 761 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель