Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Research Center Rossendorf, Dresden, Germany
2Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Research Center Rossendorf, Dresden, Germany
Поступила в редакцию: 13 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт, а также после ее удаления. Спектр фотолюминесценции нанокластеров в матрице состoит из широкой (ширина на полувысоте ~ 0.6 эВ) полосы с максимумом при 2.4 эВ. После удаления матрицы гексаном спектр фотолюминесценции состоит из высокоэнергетической полосы с максимумом при 2.9 эВ (ширина ~ 0.2 эВ) и двух низкоэнергетических полос с максимумами при 2.4 и 2.0 эВ (ширина ~ 0.5 эВ). Мы считаем, что высокоэнергетическая полоса связана с рекомбинацией экситонов в нанокластерах, а полосы с максимумами при 2.4 и 2.0 эВ с рекомбинацией через уровни дефектов, расположенных в объеме матрицы и на границе раздела нанокластер-матрица соответственно.
- E.S. Snow, P.M. Campbell, R.W. Rendel, F.A. Buot, D. Park, C.R.K. Marian, R. Magno. Semicond. Sci. Technol., 13, A75 (1998)
- H. Weller. Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 37, 1658 (1998)
- S.P. Beaumont, C.N. Sotomayor-Torres. Science and Engineering of One-and Zero-Dimensional Semiconductors (N. Y., Plenum Press, 1990) v. 214
- А.Г. Милехин, Л.Л. Свешникова, С.М. Репинский, А.Г. Гутаковский, М. Фридрих, Д.Р.Т. Цан. ФТТ, 44, 1884 (2002)
- D. Leonard, M.K. Krishnamurthy, C.M. Reeves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
- P.V. Kamat, D. Meisel. Semiconductor Nanoclusters (N. Y., Elsevier, 1996) v. 103
- N.A. Kotov, F.C. Meldrum, C. Wu, J.H. Fendler. J. Phys. Chem., 98, 2735 (1994)
- J. Xu, H. Mao, Y. Du. J. Vac. Sci. Tecnol., B15, 1465 (1997)
- A.V. Nabok, A.K. Ray, A.K. Hassan. J. Appl. Phys., 88, 3 (2000)
- J.H. Fendler, F.C. Meldrum. Adv. Mater., 7, 607 (1995)
- P. Nemec, P. Maly. J. Appl. Phys., 87, 3342 (2000)
- Xiying Ma, Gongxuan Lu, Baojun Yang. Appl. Surf. Sci., 187, 235 (2002)
- U. Woggon. Optical properties of semiconductor quantum dots (Springer, 1996)
- C.М. Репинский, Л.Л. Свешникова, Ю.И. Хапов. Журн. физ. химии, 72, 825 (1999)
- B.G. Potter, J.H. Simmons, P. Kumar, C.J. Stanton. J. Appl. Phys., 75, 8039 (1994)
- H. Matheu, T. Richard, J. Allegre, P. Lefebvre, G. Arnaud, W. Granier. J. Appl. Phys., 77, 287 (1995)
- Y. Wang, N. Herron. Phys. Rev. B, 42, 11 (1990)
- X. Ma, G. Lu, B. Yang. Appl. Surf. Sci., 187, 235 (2002)
- A. Hasselbarth, A. Eychmuller, H. Weller, S. Snow, P.M. Campbell, R.W. Rendel, F.A. Buot, D. Park, C.R.K. Marian, R. Magno. Semicond. Sci. Technol., 13, A75 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
