Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры с модуляцией состава в пленках Cd_xHg_1-xTe

Бахтин П.А.¹, Варавин В.С.¹, Дворецкий С.А.¹, Кравченко А.Ф.¹, Латышев А.В.¹, Михайлов Н.Н.¹, Сабинина И.В.¹, Сидоров Ю.Г.¹, Якушев М.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 января 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В пленках Cd_xHg_1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs при повышенных температурах, установлены аномалии электрофизических свойств. Аномалии проявляются в анизотропии проводимости, изменении спектров пропускания и фотопроводимости при низкотемпературном отжиге, а также в наличии периодического волнообразного микрорельефа поверхности. Исследована температурная зависимость проводимости вдоль и поперек волн микрорельефа. Предполагается, что пленка Cd_xHg_1-xTe с аномальными электрофизическими свойствами представляет собой самопроизвольно сформированную периодическую структуру в виде вертикальных наностенок разного состава. Рассматриваются возможные механизмы формирования такой структуры.

А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25 (8), 1317 (1980)
Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33 (5), 544 (1999)
И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
Д. Бимерг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев. УФН, 167 (5), 554 (1997)
Sung Won, Tae-Yeon Seong, J.H. Lee, Bun Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (24), 3443 (1996)
I. Levin, L.H. Robins, M.D. Vaudin, J.A. Tuchman, E. Lakin, M.J. Sherman, J. Ramer. J. Appl. Phys., 89 (1), 188 (2001)
J.E. Guyer, S.A. Barnett, P.W. Voorhees. J. Cryst. Growth, 217, 1 (2000)
J.E. Guyer, P.W. Voorhees. J. Cryst. Growth, 187, 150 (1998)
F. Leonard, R.C. Desai. Phys. Rev. B, 57, 4805 (1998)
Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, A.O. Suslyakov, V.N. Ovsyuk. Proc. SPIE, 4355, 228 (2001)
П.А. Бахтин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Автометрия, 2, 83 (2002)
S.-H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B, 41 (12), 8240 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель