Вышедшие номера
Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN в GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Ковш А.Р.1,2, Сошников И.П.1, Цацульников А.Ф.1, Kirmse H.3, Neumann W.3, Chi J.Y.2, Wang J.S.2, Wei L.2, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.
3Institute fur Physik, Humboldt Universitat, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 25 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исследованы оптические свойства сверхтонких внедрений GaAsN в матрицу GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, с целью определения методики намеренного формирования областей локализации носителей в слоях GaAsN. В случае осаждения короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAsN, в спектрах фотолюминесценции наблюдается дополнительная линия со стороны больших длин волн. Как следует из сравнения данных оптических исследований и данных просвечивающей электронной микроскопии, линия соответствует излучению из сформировавшихся областей с повышенным содержанием азота (до 8.5%). Характерный размер этих обогащенных азотом областей больше в верхних слоях сверхрешетки, чем в нижних, и он увеличивается с числом осажденных слоев.