Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности электропроводности монокристаллов Cd_1-xZn_xTe и Cd_1-xMn_xTe

Косяченко Л.А.¹, Марков А.В.¹, Маслянчук Е.Л.¹, Раренко И.М.¹, Склярчук В.М.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 21 мая 2003 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические характеристики монокристаллов Cd_1-xZn_xTe (x=0.05) и Cd_1-xMn_xTe (x=0.04) p-типа проводимости с удельным сопротивлением 10³-10¹⁰ Ом·см (300 K). Проводимость и ее изменение с температурой интерпретируются на основе статистики электронов и дырок в полупроводнике с глубокими акцепторными примесями (дефектами) с учетом их компенсации донорами. Найдена глубина акцепторных уровней и степень их компенсации. Обсуждаются проблемы достижения проводимости, близкой к собственной.

Y. Eisen, A. Shor. J. Cryst. Growth. 184/185, 1302 (1998)
Y. Eisen, I. Mardor, A. Shor. Nucl. Instrum. Meth., A428, 158 (1999)
M.R. Squillante, L. Cirignano, R. Grazioso. Nucl. Instrum. Meth., A458, 288 (2001)
M. Fiederle, D. Ebling, C. Eiche, P. Hug, W. Jorger, M. Laash, R. Schwarz, M. Salk, K.W. Benz. J. Cryst. Growth, 146, 142 (1995)
D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth., A380, 117 (1996)
Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37, 238 (2003)
S.S. Devlin. In: Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland Publishing Company, N.Y., 1967) p. 418. [Русск. пер.: С.С. Девлин. В кн.: Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)]
I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Techn., 17, 1064 (2002)
A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni. J. Appl. Phys., 83, 2121 (1998)
B.K. Meyer, P. Omling, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Phys. Rev. B, 46, 15 135 (1992)
К Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
E.J. Jonson, J.A. Kafalas, R.W. Davies. J. Appl. Phys., 54, 204 (1983)
M. Fiederle, C. Eiche, M. Salk, R. Sehwarz, K.W. Benz, W. Stadler, D.M. Hofmann, B.K. Meyer. J. Appl. Phys., 84, 6689 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель