При исследовании границы раздела ZnS-Cd_xHg_1-xTe с помощью C-V-характеристик МДП структур на спутниковых образцах в процессе изготовления n⁺-p-переходов на p-Cd_xHg_1-xTe была получена плотность состояний в пределах N_s-0.2pts=(1-6)· 10¹¹ см^-2эВ^-1 при T=78 K. Эксперименты показали, что технологические режимы, применяемые при изготовлении n⁺-p-переходов, слабо изменяют состояние границы раздела ZnS-CdHgTe. Причем отрицательные значения напряжения плоских зон V_FB указывают (даже если первоначально после нанесения пленки ZnS было V_FB>0) на обогащение приповерхностного слоя ZnS-p-CdHgTe основными носителями, дырками, что приводило к уменьшению тока утечки по поверхности. Получено было также, что при длительном сроке хранения (до ~15 лет) на воздухе при комнатной температуре у таких n⁺-p-переходов с защитной пленкой ZnS не деградировали дифференциальное сопротивление R_d, токовая чувствительность S_i и обнаружительная способность D^*.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.