Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
Сообщается о реализации лазерной генерации на длине волны 1488-1515 нм в диапазоне температур 20-83oC в структурах с активной областью на основе многослойных массивов самоорганизующихся квантовых точек, выращенных на подложках GaAs. В лазере с четырьмя сколотыми гранями пороговая плотность тока составила 800 А/см2 при комнатной температуре. Метод увеличения длины волны основан на использовании метаморфного переходного слоя с содержанием индия около 20%, предназначенного для релаксации напряжения рассогласования.
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
- A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Yu.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Physica E, 17, 589 (2003)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, D. Bimberg. Electron. Lett., 34, 670 (1998)
- А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 9, 1143 (2003)
- K. Otsubo, Y. Nishijima, H. Ishikawa. FUJITSU Sci. Technol. J., 34, 212 (1998)
- M. Fischer, D. Gollub, S. Moses, M. Muller, M. Kamp, A. Forchel. Abstract Book Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range, April 24--26, 2003 (Wroclaw, Poland) p. 48
- L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. Abctract Book Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range, April 24--26, 2003 (Wroclaw, Poland) p. 49
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
