Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 12 » Статья стр. 1473
<<<>>>
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров Д.А.1, Зорина С.А.1, Капитонов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Фетисова Н.В.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов (МОС-гидридной эпитаксии) были получены лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов GaInAsP/GaInP/AlGaInP. Конструкция лазерной структуры была выбрана на основании расчета разрывов зон на гетерогранице в активной области волновода. На мезаполосковых лазерных диодах с шириной полоска W=5 мкм была получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 320 мВт с длиной волны излучения 780 нм.
  1. J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, J.A. Morris. Electron. Lett., 34, 1100 (1998)
  2. A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzow, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
  3. L.J. Mawst, S. Rusli, A. Al-Muhanna, J.K. Wade. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5, 785 (1999)
  4. R. Kudela, M. Morvic. Phys. St. Sol. (a), 95, K1 (1986)
  5. Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов. ФТП, 34, 1307 (2000)
  6. W.E. Plano, K.S. Major, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 465 (1994)
  7. T. Fukunaga, M. Wada, H. Asano, T. Hayakawa. Jap. J. Appl. Phys., 34, L1175 (1995)
  8. G. Erbert, F. Bugge, A. Knauer, J. Sebastian, A. Thies, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5, 780 (1999)
  9. J. Sebastian, G. Beister, F. Bugge, F. Buhrandt, G. Elbert, H.G. Hansel, R. Hulswede, A. Knauer, W. Pittroff, R. Staske, M. Schroder, H. Wenzel, M. Weyers, C. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 7, 334 (2001)
  10. F. Agahi, K.M. Lau, H.K. Choi, A. Baliga, N.G. Anderson. IEEE Phot. Techn. Lett., 7, 140 (1995)
  11. N. Tansu, D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 603 (2000)
  12. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  13. R.E. Nahory, M.A. Pollack, W.D. Johnston, jr., R.L. Barns. Appl. Phys. Lett., 33, 659 (1978)
  14. S. Mukai. J. Appl. Phys., 54, 2635 (1983)
  15. E. Kuphal. J. Cryst. Growth., 67, 441 (1984)
  16. Н.А. Берт, Л.С. Вавилова И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33, 544 (1999)
  17. S. Mukai, M. Matsuzaki, J. Shimada. Jap. J. Appl. Phys., 19, L505 (1980)
  18. M. Quillec, C. Daguet, J.L. Benchimol, H. Launios. Appl. Phys. Lett., 40, 325 (1982)
  19. M.O. Watanabe, Y. Ohba. Appl. Phys. Lett., 50, 906 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme