Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 1021
>>>
Комплексы вакансия галлия --- мелкий донор в n-GaAs, легированном элементами VI группы Te или S (О б з о р)
DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54253.9957
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.11.54956.9957
Гуткин А.А.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: agut.defect@mail.ioffe.ru, Averkiev@les.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 26 октября 2022 г.
Принята к печати: 26 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.
PDF версия
Рассмотрены результаты исследований комплексов вакансия Ga (VGa) - мелкий донор (атом Te или S, замещающий атом As в ближайшем к вакансии узле решетки) методами фотолюминесценции при резонансном поляризованном возбуждении и пьезоспектроскопии. Анализ экспериментальных данных в классическом дипольном приближении показывает, что симметрия комплексов ниже тригональной и их оптические свойства объясняются в модели моноклинного дефекта, имеющего плоскость симметрии типа 011, в которой лежит исходная тригональная ось и ось оптического диполя. Причиной понижения симметрии исходно тригонального центра являются дисторсии, возникающие из-за эффекта Яна-Теллера. Предложена микроскопическая модель, связывающая особенности поведения оптических свойств комплекса VGaTeAs при одноосных деформациях и изменении температуры с особенностями структуры электронных уровней и изменением зарядового состояния комплекса. Различия в этом поведении, наблюдавшиеся для комплекса VGaSAs, анализируются и возможные причины их появления обсуждаются. Ключевые слова: вакансионные комплексы в GaAs, эффект Яна-Теллера, фотолюминесценция при резонансном возбуждении, пьезоспектроскопия.
  1. D.T.J. Hurle. J. Appl. Phys., 107, 121301 (2010)
  2. Filip Tuomisto, Ilja Makkonen. Rev. Mod. Phys., 85, 1583 (2013)
  3. Christoph Freysoldt, Blazej Grabowski, Tilmann Hickel, Jorg Neugebauer, Georg Kresse, Anderson Janotti, Chris G. Van de Walle. Rev. Mod. Phys., 86, 253 (2014)
  4. Fumiyasu Oba. Proc. AIP, 1763, 040003 (2016)
  5. Joseph C.A. Prentice, Bartomeu Monserrat, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 95, 014108 (2017)
  6. J.S. Prener, F.E. Williams. J. Chem. Phys., 25, 261 (1956)
  7. D. Curie, J.S. Prener. In Physics and Chemistry of II-VI Compounds, ed. by M. Aven and J.S. Prener (North-Holland Publishing Co., Amsterdam, 1967) p. 445
  8. T. Koda, S. Shionoya. Phys. Rev., 136, A541 (1964)
  9. J. Schneider, A. Rauber, B. Dischler, T.L. Estle, W.C. Holton. J. Chem. Phys., 42, 1839 (1965)
  10. G.D. Watkins, J.W. Corbett. R.M. Walker. J. Appl. Phys., 30, 1198 (1959)
  11. E. Sonder, L.C. Templeton. J. Appl. Phys., 34, 3295 (1963)
  12. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  13. E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
  14. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  15. E.W. Williams, H.B. Bebb. In Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and A.C. Beer (Academic Press, N.Y.-London, 1972) v. 8, p. 321
  16. M.B. Panish, H.J. Queisser, L. Derick, S. Sumski. Solid State Electron., 9, 311 (1966)
  17. H.J. Queisser, C.S. Fuller. J. Appl. Phys., 37, 4895 (1966)
  18. J.S. Prener, D.J. Weil. J. Electrochem. Soc., 106, 409 (1959)
  19. E.W. Williams, A.M. White. Solid State Commun., 9, 279 (1971)
  20. K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.I. Vovnenko. Phys. Status Solidi A, 34, 777 (1976)
  21. В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976)
  22. В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 2059 (1976)
  23. К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович, В.Е. Родионов. ФТП, 11, 35 (1977)
  24. K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. Status Solidi A, 44, 777 (1977)
  25. В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. ФТП, 14, 1003 (1980)
  26. D.T.J. Hurle. J. Phys. Chem. Solids, 40, 627 (1979)
  27. D.T.J. Hurle. J. Phys. Chem. Solids, 40, 639 (1979)
  28. J.E. Stehr, K.M. Johansen, T.S. Bj rheim, L. Vines, B.G. Svensson, W.M. Chen, I.A. Buyanova. Phys. Rev. Appl., 2, 021001 (2014)
  29. Mykhailo Vorobiov, Oleksandr Andrieiev, Denis O. Demchenko, Michael A. Reshchikov. Phys. Rev. B, 104, 245203 (2021)
  30. П.П. Феофилов. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1959)
  31. П.П. Феофилов, А.А. Каплянский. УФН, 76 (2), 201 (1962)
  32. Е.Е. Букке, И.Н. Григорьев, М.В. Фок. Тр. ФИАН, 79, 108 (1974)
  33. И.Я. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27 (3), 748 (1985)
  34. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25 (1), 50 (1991)
  35. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25 (1), 58 (1991)
  36. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 26 (7), 1269 (1992)
  37. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34 (10), 1201 (2000)
  38. A.A. Kaplyanskii. J. de Phys., 28 (Suppl. 8-9), 4 (1967)
  39. А.А. Гуткин, Н.С. Аверкиев. ФТП, 51 (10), 1299 (2017)
  40. А.А. Гуткин, А.В. Ермакова. ФТП, 37 (8), 908 (2003)
  41. A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physikalische Chem., 200, 217 (1997)
  42. Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, А.Ф. Цацульников. ФТП, 25, 1967 (1991)
  43. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
  44. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 37 (3), 287 (2003)
  45. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1997)
  46. R.N. Bhargava, M.I. Nathan. Phys. Rev., 161, 695 (1967)
  47. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин. Тез. докл. XV Росс. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород, 3-7 октября, 2022 г.) с. 225
  48. I.B. Bersuker. The Jahn-Teller Effect (UK, Cambridge, Cambridge University Press, 2006)
  49. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 29, 1207 (1995)
  50. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, July 23-28, 1995), ed. by M. Suezawa and H. Katayama-Yoshida [Mater. Sci. Forum, 196--201 (1), 231 (1995)]
  51. A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovksij. Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44 (2/3), 212 (1995)
  52. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 38 (7), 825 (2004)
  53. D.J. Chadi, C.H. Park. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, July 23-28, 1995), ed. by M. Suezawa and H. Katayama-Yoshida [Mater. Sci. Forum, 196--201 (1), 285 (1995)]
  54. C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 54, 14246 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme