Ударно-ионизационный волновой пробой и генерация пикосекундных сверхширокополосных и сверхвысокочастотных импульсов в дрейфовых диодах на основе GaAs с резким восстановлением
Козлов В.А.1, Рожков А.В.1, Кардо-Сысоев А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
Впервые экспериментально подтверждено, что работа дрейфовых GaAs-диодов с резким восстановлением, изготовленных из p+-p0-n0-n+-структур, сопровождается возбуждением сверхвысокочастотных осцилляций в виде цугов коротких импульсов длительностью ~ 10 пс. Амплитуда импульсов и частота их повторения достигают значений ~ 100 В и ~ (10-100) ГГц соответственно. Факт существования явлений задержанного обратимого волнового пробоя и возбуждения сверхвысокочастотных осцилляций в струкурах GaAs-диодов с резким восстановлением открывает перспективы развития новых направлений как в физике и технике полупроводниковых приборов на основе GaAs-структур, так и в новых областях техники и технологии сверхвысокочастотных и сверхширокополосных систем и устройств, оперирующих с импульсными сигналами пикосекундной длительности.
- В.А. Козлов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Брылевский. ФТП, 35 (5), 629 (2001)
- С.А. Дарзнек, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский. ФТП, 36 (5), 629 (2002)
- А.В. Рожков, В.А. Козлов. ФТП, 37 (12), 4234(2003)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Ефанов, Ю.М. Задиранов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, 12 (21), 1281 (1986)
- Ж.И. Алфёров, И.В. Грехов, В.М. Ефанов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, М.Н. Степанова. Письма ЖТФ, 13 (18), 1089 (1987)
- Ж.И. Алфёров, Е.Л. Портной, А.Б. Журавлев, Н.Н. Стельмах. Письма ЖТФ, 12 (18), 1093 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.