Вышедшие номера
О статистике и кинетике рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах
Саченко А.В.1, Крюченко Ю.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Предложен новый подход, объясняющий наблюдаемые особенности рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах. Помимо канала излучательной экситонной рекомбинации учтен также канал безызлучательной оже-рекомбинации экситона с участием локального интерфейсного центра. Рассмотрены статистика и кинетика рекомбинации в полупроводниковых нанокристаллах для предельных случаев низкой и высокой концентрации локальных интерфейсных центров. Проанализирован также случай низких уровней возбуждения, когда статистический подход к описанию рекомбинации в отдельных нанокристаллах становится неприменимым. Показано, что наличие указанного канала безызлучательной оже-рекомбинации экситонов позволяет объяснить как линейную зависимость интенсивности фотолюминесценции от уровня возбуждения, так и ее низкий внутренний квантовый выход.