О статистике и кинетике рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах
Саченко А.В.1, Крюченко Ю.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Предложен новый подход, объясняющий наблюдаемые особенности рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах. Помимо канала излучательной экситонной рекомбинации учтен также канал безызлучательной оже-рекомбинации экситона с участием локального интерфейсного центра. Рассмотрены статистика и кинетика рекомбинации в полупроводниковых нанокристаллах для предельных случаев низкой и высокой концентрации локальных интерфейсных центров. Проанализирован также случай низких уровней возбуждения, когда статистический подход к описанию рекомбинации в отдельных нанокристаллах становится неприменимым. Показано, что наличие указанного канала безызлучательной оже-рекомбинации экситонов позволяет объяснить как линейную зависимость интенсивности фотолюминесценции от уровня возбуждения, так и ее низкий внутренний квантовый выход.
- A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
- П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко. УФН, 168, 577 (1998)
- D. Kovalev, H. Heckler, G. Polissky, F. Koch. Phys. St. Sol. (b), 215, 871 (1999)
- А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 34, 1445 (2000)
- М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 36, 344 (2002)
- В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, О.А. Шалыгина, В.Л. Лясковский, Е.А. Муляров, С.А. Гаврилов, И. Масумото. ЖЭТФ, 121, 1362 (2002)
- В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Е.А. Муляров, С.Г. Тиходеев. ЖЭТФ, 114, 700 (1998)
- E.A. Mularov, E. Zhukov, V.S. Dneprovskii, Y. Masumoto. Phys. Rev. B, 62, 7420 (2000)
- В.С. Бабиченко, Л.В. Келдыш, А.П. Силин. ФТТ, 22, 1238 (1980)
- T. Takagahara. Phys. Rev. B, 47, 4569 (1993)
- M.G. Lisachenko, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Ju. Timoshenko. Phys. St. Sol. (a), 182, 297 (2000)
- Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko. Physica E, 14, 299 (2002)
- A. Hangleiter. Phys. Rev. B, 35, 9149 (1987)
- A. Hangleiter. Phys. Rev. B, 37, 2594 (1988)
- A.V. Sachenko, A.P. Gorban', V.P. Kostylyov. Semicond. Phys. Quant. Electron. and Optoelectron., 3, 5 (2000)
- A.M. Evstigneev, A.V. Sachenko, G.A. Sukach, M.A. Evstigneev, S.V. Svechnikov. Proc. SPIE, 2648, 396 (1995)
- Б.В. Каменев, В.Ю. Тимошенко. Поверхность, N 11, 91 (1998)
- J. Valenta, R. Juhasz, J. Linnros. J. Luminesc., 98, 15 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук