Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 12 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Изучено формирование пленок нанокристаллического Si в условиях быстрого термического отжига структур кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов H+. Установлено, что процесс формирования нанокристаллов Si эффективен уже при температурах 300-400oC и определяется содержанием водорода в пленке кремния и временем отжига. Сделан вывод о том, что образование зародышей кристаллической фазы происходит в островках кремния, заключенных между микропорами, и обусловлено упорядочением Si-Si-связей в процессе выхода водорода из связанного состояния. При этом в условиях быстрого термического отжига коалесценции микропор не происходит вплоть до температур ~ 900oC. Синтезированные пленки люминесцируют в зелено-оранжевой области спектра при комнатной температуре.
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
- C.H. Chen, Y.F. Chen, A. Shih, S.C. Lee. Phys. Rev. B, 65, 195 307 (2002)
- X. Zhao, O. Schoenfeld, J. Komuro, Y. Aoyagi, T. Sugano. Phys. Rev. B, 50, 18 654 (1994)
- M. Ruckschloss, B. Landkammer, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 63, 1474 (1993)
- H. Morisaki, H. Hashimoto, F.W. Ping, H. Nozawa, H. Ono. J. Appl. Phys., 74, 2977 (1993)
- E. Werwa, A.A. Seraphin, L.A. Chiu, C. Zhou, K.D. Kolenbrander. Appl. Phys. Lett., 64, 1821 (1994)
- Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
- R.E. Hummel, M.H. Ludvig, S.-S. Chang. Sol. St. Commun., 93, 237 (1995)
- T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
- H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 409 (1994)
- L.B. Freund. Appl. Phys. Lett., 70, 3519 (1997)
- C.M. Varma. Appl. Phys. Lett., 71, 3519 (1997)
- M.K. Weldon, V.E. Marsico, Y.J. Cjabal, A. Agarwal, D.J. Eaglesham, J. Sapjeta, W.L. Brown, D.C. Jacobson, Y. Caudano, S.B. Christman, E.E. Chaban. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1065 (1997)
- T. Hochbauer, A. Misra, M. Nastasi, J.W. Mayer. J. Appl. Phys., 92, 2335 (2002)
- W. Han, J. Yu. J. Appl. Phys., 89, 6551 (2001)
- I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, B.A. Kolesov, K.S. Zhuravlev, V.I. Obodnikov, V.P. Popov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 186, 329 (2002)
- V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. In: Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra et. al (Kulwer Academic Publishers, Netherlands, 2002) p. 269
- B.A. Wilson. Phys. Rev. B, 23, 3102 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
